康建波
- 作品数：7 被引量：32H指数：3
- 供职机构：成都信息工程大学光电技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金四川省应用基础研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 提高Si量子点发光强度的途径被引量：1
- 2006年
- 探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。
- 康建波彭英才简红彬马蕾张雷
- 关键词：发光强度光致发光电致发光
- 基于紫外-可见透过谱的薄膜厚度计算研究被引量：2
- 2010年
- 测试和控制薄膜的厚度是制备高质量薄膜材料的重要步骤之一。本文根据光谱透过率波动曲线与薄膜厚度间的内在联系,基于曲线拟合方法设计开发了一款计算软件,该程序能读取测试光谱数据并自动计算出薄膜厚度和折射率,程序计算结果与台阶仪测试结果吻合较好,证明本文所开发的软件是正确有效的。
- 张海波康建波孙辉杨定宇朱兴华
- 关键词：薄膜厚度程序设计
- 掺杂纳米多晶Si膜的低压化学气相沉积与电学特性研究
- 本工作采用低压化学气相沉积/(LPCVD/)技术,在Si/(或石英/)表面上经原位掺杂和后热扩散生长了B掺杂纳米多晶Si薄膜。利用a-台阶仪测量了多晶Si薄膜的厚度,实验研究了SiH4流量、B2H6流量、衬底温度、气体压...
- 康建波
- 关键词：低压化学气相淀积硼掺杂热退火电学性质
- 文献传递
- 多晶硅薄膜制备技术的研究进展被引量：9
- 2005年
- 多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.
- 马蕾简红彬康建波彭英才
- 关键词：低压化学气相淀积金属诱导晶化
- 纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积被引量：7
- 2006年
- 利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。
- 彭英才马蕾康建波范志东简红彬
- 关键词：LPCVD纳米晶粒
- 掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性被引量：2
- 2008年
- 采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征。结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9×1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜。样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善。利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻,并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响。
- 彭英才康建波马蕾张雷王侠范志东
- 关键词：LPCVD结构特征热退火电学性质
- SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展被引量：12
- 2006年
- 介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。
- 简红彬康建波于威马蕾彭英才
- 关键词：SIC薄膜化学汽相沉积物理性质
