崔丽敏
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
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- 不同方法制备过渡层的金属基带上YBCO层的PLD生长和原位RHEED监测
- 我们利用在PLD系统上配备的能够在YBCO薄膜生长所需气压下工作的高气压RHEED系统,对不同来源镀由过渡层的金属衬底上YBCO薄膜的生长情况进行了原位监测,并与单晶基片上YBCO薄膜的生长情况进行了比较.我们还利用磁化...
- 郭乃理李洁黄克强崔丽敏张玉赵璐郑东宁
- 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
- 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成...
- 张玉李洁陈莺飞王宁邓辉吴玉林赵璐郑国林崔丽敏郭乃理蒋凤英金贻荣田海燕郑东宁
- 文献传递
- LD外延氧化物薄膜和异质结构的高气压RHEED研究
- 李洁陈莺飞陈珂彭炜王萍储海峰张玉崔丽敏郑东宁
- 多层交替沉积后退火处理MgB_2超导薄膜上约瑟夫森结的制备
- 2012年
- 在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.
- 邓辉戴倩于海峰魏彦锋王福仁任建坤崔丽敏吴玉林赵士平陈莺飞李洁郑东宁
- 关键词：退火MGB2约瑟夫森结
- 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
- 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成...
- 张玉李洁陈莺飞王宁邓辉吴玉林赵璐郑国林崔丽敏郭乃理蒋凤英金贻荣田海燕郑东宁
- 文献传递
- 双电层场效应对锰氧化物电输运性质的调节
- 双电层场效应,即以离子液体作为电介质,利用离子在电场作用下的流动性形成极薄的电荷层(～1nm),从而产生极强的电场作用于薄膜表面,对样品的电磁性质产生显著地调节作用.我们采用近年来受到广泛关注的电子强关联体系锰氧化物作为...
- 崔丽敏张玉赵璐邓辉李洁郑东宁
- 高气压反射式高能电子衍射仪的研制--氧化物薄膜生长的实时监控
- 陈莺飞郑东宁李洁陈珂彭炜王萍储海蜂张玉崔丽敏曾光
