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孙玉芳

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇阻挡层
  • 3篇扩散阻挡层
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电路
  • 2篇退火
  • 2篇扩散
  • 2篇集成电路
  • 2篇N
  • 1篇电性能
  • 1篇多铁性
  • 1篇圆片
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电现象
  • 1篇SUB
  • 1篇BIFEO

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇孙玉芳
  • 3篇李宜彬
  • 3篇赫晓东
  • 2篇吕宏振
  • 1篇孙跃

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法
一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru-N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru-N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：...
李宜彬赫晓东吕宏振孙玉芳
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一种提高BiFeO<Sub>3</Sub>陶瓷块体材料多铁性能的方法
一种提高BiFeO<Sub>3</Sub>陶瓷块体材料多铁性能的方法，它涉及一种提高陶瓷块体材料多铁性能的制备方法。本发明解决了现有BiFeO<Sub>3</Sub>陶瓷块体材料漏电流大、铁电性能差的问题。方法：一、将原...
李宜彬赫晓东孙跃孙玉芳
文献传递
一种扩散阻挡层薄膜的制备方法
一种扩散阻挡层薄膜的制备方法，它涉及集成电路中铜与硅之间一种新的扩散阻挡层的制备方法。本发明解决了现有铜与硅之间扩散阻挡层Ru－N在高温下N元素容易溢出，从而使得Ru－N扩散阻挡层失效的问题。本发明方法如下：1.清洗硅基...
李宜彬赫晓东吕宏振孙玉芳
文献传递
Ru-TiN扩散阻挡层的制备与表征
随着集成电路工艺的发展,除了对器件本身提出的高速、低功耗、高可靠性的性能要求之外,互连技术的发展也在越来越大的程度上影响了器件的总体性能,减少RC延迟时间(其中R是互连金属的电阻,C是和介质相关的电容),达到和器件延迟相...
孙玉芳
关键词：阻挡层磁控溅射
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