孙伟
- 作品数：7 被引量：62H指数：4
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 金刚石膜压力传感器的优化设计(Ⅱ)
- 2003年
- 金刚石膜压力传感器是在本征金刚石膜片上沉积4个掺杂金刚石膜压敏电阻,4个压敏电阻所在部位的膜厚度是压敏电阻和本征金刚石膜片厚度相加,它不同于利用扩散掺杂工艺形成的硅压力传感器,后者的4个掺杂压敏电阻和本征硅组成一个均匀的平面。我们发现,压敏电阻的形状对承载膜应力、应变分布及承压强度至关重要,提出了电阻条圆角设计方案,从而优化了电阻条形状及长、宽、厚尺寸设计,获得了具有高承压强度、输出稳定性好的金刚石膜压力传感器。
- 杨保和孙以才孙伟李燕潘鹏常明
- 关键词：压力传感器压敏电阻
- 金刚石膜压力传感器的优化设计(Ⅰ)被引量：2
- 2003年
- 探讨了一种新型金刚石膜压力传感器的优化设计方法,采用了计算机辅助设计,用数值计算中的有限元理论和ANSYS程序,模拟传感器承载金刚石膜的应力场分布,确定了掺硼金刚石压敏电阻条的尺寸、最佳位置和排列方式。结果证明,按该设计研制的金刚石膜压力传感器输出信号达到了较高灵敏度和较好的稳定性。
- 杨保和孙伟孙以才李燕常明
- 关键词：金刚石膜压力传感器计算机辅助设计ANSYS程序压敏电阻
- 纳米晶体弹性模量的模拟研究被引量：9
- 1999年
- 通过分子动力学（ＭＤ）方法模拟纳米晶体（１～３ｎｍ）的结构，并对模拟的结果进行了Ｘ射线衍射的点阵常数、结合能及弹性模量等模拟计算·结果表明纳米晶体无论是晶界和晶粒都与传统的粗晶粒晶体材料没有根本的区别。
- 孙伟常明杨保和
- 关键词：分子动力学纳米晶体材料弹性模量
- 金刚石压敏电阻压力传感器有限元分析
- 介绍用硅方膜作基底,掺硼刻蚀金刚石压敏电阻的方法制作压力传感器,而掺硼压敏电阻与硅基底的电绝缘,由一层未掺杂的金刚石薄膜获得.纵向排列的压敏电阻连接成惠斯顿电桥,传感器的桥电压与压力之间显示极好的线性关系.
- 孙伟曲长庆潘鹏杨保常明
- 关键词：有限元压敏电阻优化设计压力传感器
- 文献传递
- 模拟纳米晶体原子分布及X射线散射理论图案被引量：19
- 1997年
- 通过分子动力学方法模拟纳米晶体（１—３ｎｍ）的结构．利用模拟的结果，进行了Ｘ射线衍射及径向分布函数的模拟计算．结果表明：纳米晶体晶界呈短程有序，界面原子间距分布很宽；随着晶粒尺寸的减小，晶粒的畸变越大。
- 常明孙伟邢金华王煜明
- 关键词：分子动力学纳米晶体X射线散射
- 纳米晶体结构与性能的模拟研究被引量：14
- 1997年
- 通过分子动力学方法模拟纳米晶体（１—３ｎｍ）的结构．利用模拟的结果，进行了Ｘ射线衍射点阵常数、晶粒尺寸及点阵畸变的模拟计算，还计算了结合能及弹性模量等．结果表明纳米晶体无论是晶界和晶粒都与传统的粗晶粒晶体材料没有本质的区别，只是由于晶粒尺寸变小，以及晶界的体积分数等的作用。
- 常明孙伟郭长海杨保和
- 关键词：分子动力学性能模拟
- 分子动力学模拟纳米晶体铜的结构与性能被引量：28
- 1998年
- 通过分子动力学方法模拟纳米面心立方晶体铜的结构，并对模拟的结果进行了不同晶粒尺寸的纳米晶体的密度、能量分布以及弛豫前后的Ｘ射线衍射、径向分布函数等计算．结果表明，大体积分数的晶界和畸变的晶粒是纳米晶体有别于传统的粗晶粒晶体材料结构的重要方面，由此导致纳米晶体一系列不同性能．
- 孙伟常明杨保和
- 关键词：分子动力学纳米晶晶体铜
