唐世红
- 作品数：36 被引量：78H指数：5
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金四川省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信化学工程更多>>
- 一种铜单晶的定向方法
- 一种铜单晶的定向方法，步骤如下：(1)将铜单晶锭放入质量浓度35～45％的硝酸中浸蚀，浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限，以一组反光面为参考面，在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面，定义该平面为...
- 赵北君朱世富肖怀安唐世红何知宇陈宝军
- 文献传递
- 碲锌镉晶体的退火研究
- 唐世红赵北君朱世富高德友何知宇张冬敏方军陈曦
- 关键词：碲锌镉单晶体退火
- 文献传递
- 碲锌镉晶体的缺陷及其退火研究
- 碲锌镉(Cd<,1-x>Zn<,x>Te，简写CZT)晶体是一种性能优异的三元化合物半导体室温核辐射探测器材料。它具有电阻率高、暗电流低、热稳定性好、带隙宽且可调、探测射线能量分辨率较高等诸多优异的性能，适用于制作X射线...
- 唐世红
- 关键词：碲锌镉晶体探测器能量分辨率
- 文献传递
- 经济新常态下大学生就业意向调研及对策——以四川大学材料科学与工程学院为例
- 2016年
- 在经济全球化背景下,世界经济维持低速增长,而中国经济仍保持中高速发展,但我国经济正面临调整结构和寻找增长新动力的机遇与挑战。在这种经济新常态下,要认真分析大学生的就业需求,引导和拓宽大学生的择业思路,树立创新创业的就业理念,让大学生在经济转型的社会竞争中立于不败之地。
- 余鹏飞唐世红
- 关键词：大学生就业
- 各向异性介质浮雕光栅体内光波场的传输被引量：2
- 2010年
- 分析了各向异性介质光栅体内光波场的空间分布,并将RTRA递推算法推向了各向异性介质内光波场的传输.数值计算表明,光波场光强的空间分布随透射深度的变化而变化,各向异性介质光栅体内光波场的空间分布相对各向同性介质要均匀,光栅材料的性质参数和光束的入射参数对光波场光强的空间分布有较大的影响等.
- 李建龙唐世红朱世富傅克祥
- 铜单晶的定向方法研究被引量：2
- 2011年
- 采用改进的垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体,报道了一种铜单晶定向的新方法。将生长出的铜晶锭在浓度为40%的硝酸溶液中浸蚀10 min左右,晶锭表面出现取向一致的反光面,用激光正反射法对其表面的反光面进行初步定向,再参照X射线衍射回摆谱对晶面进行修正,得到了铜晶体的(111)、(200)和(220)晶面,进而得到任意所需的晶面。该方法对于制作铜单晶器件具有重要参考价值。
- 唐世红赵北君朱世富肖怀安姚超何知宇陈宝军
- 关键词：铜单晶X射线衍射
- 碲锌镉单晶片的退火方法被引量：2
- 2008年
- 探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善。XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的Cd组分含量有一定增加。采用该方法退火后,晶体品质有一定提高。
- 高德友赵北君朱世富唐世红何知宇张冬敏方军程曦
- 关键词：退火电阻率XRD红外透射谱
- 晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
- 一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置，包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。加热炉包括炉体、安装在炉体上的加热元件和控温测温器，炉体的炉膛下部设置有用于安放沉淀室的支座；沉淀室包括一端开口的管状本体和封闭管状本...
- 赵北君朱世富张建军何知宇陈宝军唐世红
- 文献传递
- Cu单晶的生长与温场研究被引量：2
- 2009年
- Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果,设计并制作了硅钼棒加热单晶生长炉,获得了适合Cu单晶体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体。对生长的晶体进行切割、抛光腐蚀后,采用金相显微镜和X射线衍射分析,结果表明:研究设计的温场适合Cu单晶体的生长,生长出的晶体结晶性好、结构完整。
- 肖怀安朱世富赵北君唐世红王立苗周义博易希昱
- 关键词：铜单晶差热分析晶体生长性能表征
- CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺被引量：5
- 2006年
- 报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响。先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光，然后分别用H2O2溶液和NH4F／H2O2溶液对晶片进行湿法钝化；再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响。结果发现：用NH4F／H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min，晶片表面形成一层完整的高阻氧化层，表面漏电流最小、晶体电阻率提高1-2个数量级，达到10^9-10 Ω·cm，适合探测器的制备。
- 张冬敏朱世富赵北君高德友陈俊唐世红方军程曦
- 关键词：表面处理漏电流电阻率形貌
