吴燕宇
- 作品数:9 被引量:5H指数:2
- 供职机构:天津理工大学更多>>
- 发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
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- 发光颜色受电压调控的无机电致发光器件
- 本发明涉及一种无机电致发光器件,属于电子半导体元器件技术领域。该器件具有堆叠结构,包括包括衬底;在所述衬底上形成第一导电层,其中所述第一导电层是阳极;无机功能层,利用旋涂或印刷工艺淀积在第一导电层上;在所述无机功能层上形...
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- 文献传递
- 一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法
- 一种发光颜色可调的半导体发光材料,为掺杂ZnO/纯ZnO核壳结构,以掺杂ZnO为内核,纯ZnO包覆于掺杂ZnO核的表面形成壳层,在纯ZnO壳层中包含有由于自纯化效应自内核扩散至壳层的掺杂离子,掺杂ZnO内核的大小为15n...
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- 文献传递
- 基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制(英文)
- 2012年
- 用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol(PVP)复合,通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS∶PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态,通过正向电压的作用,器件由OFF态转变为ON态,并且在正向或反向电压的作用下,器件始终保持在ON态,表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比,含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性,其电流开关比达到104,这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试,详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制,并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。
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- 关键词:聚乙烯基吡咯烷酮
- 锌基半导体纳米晶有机电双稳态器件的制备及性能研究
- 基于有机/无机纳米复合材料的有机双稳态器件作为一个新型存储技术,具有低能耗、低成本及简单的制备方法等优点,在下一代非挥发性存储中有着广阔的潜在应用。但是这类器件中无机纳米颗粒对器件的双稳态效应的影响机制还未得到很好的解释...
- 吴燕宇
- 关键词:负微分电阻
- 文献传递
- 一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件
- 一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件,包括透明衬底、第一导电层、无机功能层和第二导电层并依次构成叠层结构,其中第一导电层为由金属氧化物制备的透明电极,无机功能层为单层结构并由无机纳米半导体材料制备,第二导电层为功函数...
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- 文献传递
- 一种可双向电压驱动无机量子点电致发光器件及制备方法
- 一种可双向电压驱动无机量子点电致发光器件,包括衬底、阳极层、无机量子点功能层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述无机量子点功能层的构成包括:1)发光层、2)缓冲层和发光层或3)缓冲层、发光层和电子传输层,其中发光层和电子传输...
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- ZnO量子点/SiO_2复合器件的可调控电致发光研究被引量:3
- 2011年
- 在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点/SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光(EL)随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点/SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通过样品的X射线衍射(XRD)数据分析表明,ZnO量子点尺寸随SiO2浓度增加而减小,证实了量子尺寸效应是蓝移的原因之一。同时,进行多峰高斯拟合还发现,随着SiO2浓度的增加,绿光和橙红光发射峰比例随之增加,进一步证实了量子尺寸效应导致了复合器件的光谱蓝移。
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- 关键词:量子尺寸效应
- 一种基于Co掺杂ZnO的红光材料的制备方法及应用
- 一种基于Co掺杂ZnO的红光材料的制备方法,以具有纤锌矿结构的ZnO为基质,以过渡族金属元素Co为掺杂离子,采用化学共沉淀方法制备,步骤如下:1)将锌源和掺杂源与溶剂混合,得到混合前驱液;2)将共沉淀剂与溶剂混合,得到共...
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- 基于ZnS/SiO2量子点的EL器件及宽谱发射被引量:3
- 2012年
- 将ZnS/SiO2量子点与PVP在甲醇溶液中充分混合作为活性层材料,通过匀胶方法制备了ITO//ZnS/SiO2∶PVP//Al结构的电致发光(EL)薄膜器件。器件的EL光谱由510~560nm波段的绿光发射和相对较弱的蓝紫光(400nm左右)发射组成,通过对发光光谱的分析发现,上述两个区域的发射均来自ZnS的缺陷能级。其中,绿色发光峰来源于较低能态的缺陷能级;而高能区域的蓝色发光则是由于高能态的缺陷能级俘获电子的几率增大,在这过程中,PVP形成的能级阶梯有效增加了高能态缺陷能级俘获电子的几率,提升了高能波段的发光效率,相应地,器件的色坐标也随之从(0.37,0.42)变化到(0.30,0.34),趋于白光发射。
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