古少杰
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室更多>>
- 发文基金：天津市科技支撑计划天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 适用高频声表面波延迟线的AlN(002)/diamond多层膜研究
- 金刚石在所有物质中具有最高的声传播速率、最高的热导率、极低的热膨胀系数、高的化学惰性、大的禁带宽度等十分优异的性能，使得其具有广阔的应用前景。然而，金刚石本身并非压电材料，无法进行电磁波与声表面波的能量转换，因此需要在其...
- 古少杰
- 关键词：氮化铝薄膜多层膜
- 文献传递
- 金刚石基底上制备(002)AlN薄膜的研究被引量：2
- 2012年
- 首先采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在O2/H2/CH4混合气体气氛下利用大功率微波在(100)Si片上生长出了异质外延金刚石膜,X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜的表征分析结果表明,制备的金刚石膜具有很高的金刚石相纯度,且晶粒排列紧密;继而采用射频磁控反应溅射法,在抛光的金刚石基底上成功制备了高C轴择优取向的氮化铝(AlN)薄膜,研究了不同的溅射气压、靶基距对AlN薄膜制备的影响,XRD检测结果表明,溅射气压低,靶基距短,有利于AlN(002)面择优取向,相反则更有利于AlN薄膜的(103)面和(102)面择优取向;研究了AlN薄膜在以N终止的金刚石基底和纯净金刚石基底两种表面状态上的生长机制,结果发现,以N终止的金刚石基底非常有利于AlN(002)面择优取向生长;从Al-N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度,探讨了其对AlN薄膜择优取向的影响。
- 古少杰杨保和张明伟崔健李翠平
- 关键词：金刚石化学键平均自由程
