卢志英
- 作品数:4 被引量:3H指数:1
- 供职机构:上海大学更多>>
- 相关领域:理学化学工程更多>>
- 静态温梯法中纵向温度分布对固液界面形状的影响被引量:1
- 1992年
- 本文证明了静态温梯法中坩埚侧壁处的纵向温度分布 T_(?)(z)的函数形式,对坩埚中固液等温面的凸度有着重要影响作用。指出通过温度场“调零”过程后,利用(?)~2T_(?)(z)/(?)z^2的符号和大小来判断坩埚中固液面凸度分布情况。并且认为在实际工作中T_(?)(z)可以用热电偶在坩埚外壁处测量而得到。
- 潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
- 关键词:温梯法等温线固液界面凸度
- 静态温梯法中瞬时降温速率对固液界面形状的影响被引量:1
- 1992年
- 本文用解析和数值计算的方法,证明了静态温梯法晶体生长中,瞬时降温速率有使固液等温面下移且变得更凹的倾向,定义了降温显热数 De=R^2pc_pCo/k(T_h-T_c),用来表征瞬时降温速率使固液等温面变凹的程度。
- 潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
- 关键词:晶体生长速率
- 引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量:1
- 1991年
- 用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
- 关键词:铬提拉法
- 坩埚热导率对晶体生长温度场的影响
- 1992年
- 本文通过有限元数值方法计算了坩埚热导率对晶体生长温度场的影响,指出当坩埚热导率大于晶体材料的热导率时,生长区域的纵向温梯会有大幅度减小,反之,温梯变化较小。并且认为当坩埚侧面与环境的热交换系数很大时,坩埚热导率的影响作用变小。并指出坩埚热导率可以通过热处理及其他手段予以调节。
- 卢志英潘佩聪
- 关键词:晶体生长热导率坩埚温度场