匡淑娟
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 钙钛矿铁电陶瓷与薄膜的介电调谐特性研究及应用
- 唐新桂刘秋香蒋力立熊惠芳蒋艳平张伟李群匡淑娟程铁栋陈王丽华
- 随着现代通信技术的发展，对微波通信用的相移器、滤波器、微波介电调谐等器件的技术要求越来越高。钛酸锶钡材料的介电调谐特性研究是国际上热点之一，已经在微波器件方面得到美国军方的应用。而锆钛酸钡比钛酸锶钡化学结构更稳定，后者成...
- 关键词：
- 一种钛酸钡基正温度系数电阻材料及其制备方法
- 本发明公开了一种钛酸钡基正温度系数电阻材料及其制备方法，钛酸钡基正温度系数电阻材料的化学通式为：(1－x－y)BaTiO<Sub>3</Sub>－x(Bi<Sub>0.5</Sub>Na<Sub>0.5</Sub>)Ti...
- 唐新桂匡淑娟刘秋香
- 文献传递
- 锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O_3陶瓷压电与介电性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr0.06Ti0.94)O3陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr0.06Ti0.94)MnxO3(BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5mol%时进入晶界,过量的锰将在晶界积聚对畴壁和晶界起钉扎作用,从而降低压电性能.随着锰掺杂量进一步增加,弛豫程度变得明显,弥散指数增加.当锰掺杂量为x=0.3%—0.4%范围时,获得d33值为195—220pC/N,介电常数εr为7500以上,损耗tanδ低于2%的性能优良压电陶瓷.
- 丁南唐新桂匡淑娟伍君博刘秋香何琴玉
- 关键词：锰掺杂压电性能
- 钛酸钡基无铅陶瓷的电性能研究
- 功能陶瓷作为一类很重要的基础材料，已经广泛用于日常生活的各个领域。传统的PZT陶瓷也因其具有优良的压电性能和成熟的制备工艺而被大量应用。随着人类对环境的重视，新型无铅陶瓷的研发已成为成为一项紧迫而有重大意义的课题。其中B...
- 匡淑娟
- 关键词：固相反应法介电特性相结构
- 文献传递
- (Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3粉体与薄膜的合成、结构与电性能研究(英文)被引量：1
- 2010年
- 使用溶胶凝胶法合成(Pb0.50Sr0.50)TiO3(缩写为PST)粉体和薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫面电镜(SEM)观察PST粉体的相形成和形貌特征。结果表明,800℃退火处理的凝胶样品还有中间相碳酸盐存在;850℃退火的干凝胶样品,晶化完成后为多晶钙钛矿结构,而650℃经快速热处理的薄膜样品为多晶结构,平均晶粒尺寸为60nm。PST薄膜在100kHz频率测量情况下,介电常数与损耗分别为561.5和0.022。
- 程铁栋唐新桂匡淑娟丁南刘秋香
- 关键词：溶胶-凝胶粉体铁电性介电特性
- (Pb,La)TiO_3/LaNiO_3异质结薄膜的漏电流特征被引量：2
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28mol%,简称PLT)薄膜。经过600℃快速退火,从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜。薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制。这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故。
- 程铁栋唐新桂匡淑娟熊惠芳刘秋香蒋艳平
- 关键词：漏电流
- (Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征
- 采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol％,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火....
- 程铁栋唐新桂匡淑娟熊惠芳刘秋香蒋艳平
- 关键词：漏电流空间电荷溶胶凝胶法导电机制
- 文献传递
- 一种钛酸钡基负温度系数电阻材料及其制备方法
- 本发明公开了一种钛酸钡基负温度系数电阻材料及其制备方法，电阻材料的化学通式为：(Ba<Sub>1－x</Sub>A<Sub>x</Sub>)(Ln<Sub>y</Sub>Ti<Sub>1－y</Sub>)O<Sub>3<...
- 唐新桂丁南匡淑娟刘秋香
- 文献传递
