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刘尔凯

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇压电薄膜
  • 2篇声速
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇过渡层
  • 2篇衬底

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇刘尔凯
  • 2篇刘彦松
  • 2篇林成鲁
  • 2篇宋志棠
  • 2篇王连卫

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c-取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率，一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入...
王连卫林成鲁刘彦松宋志棠刘尔凯
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一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法
本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c－取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率,一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入...
王连卫林成鲁刘彦松宋志棠刘尔凯
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