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刘学彦

作品数：10 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院长春物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学

主题

  • 7篇发光
  • 4篇深能级
  • 4篇能级
  • 4篇光致
  • 3篇砷化镓
  • 3篇光致发光
  • 2篇外延层
  • 2篇发光研究
  • 2篇半导体
  • 2篇SI衬底
  • 2篇GAAS/S...
  • 2篇INP
  • 2篇衬底
  • 1篇导体
  • 1篇电致发光
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇散射
  • 1篇深中心
  • 1篇外延片
  • 1篇温度

机构

  • 10篇中国科学院长...

作者

  • 10篇刘学彦
  • 8篇高瑛
  • 7篇赵家龙
  • 4篇苏锡安
  • 3篇虞家琪
  • 3篇梁家昌
  • 3篇黄世华
  • 3篇窦恺
  • 2篇高鸿楷
  • 1篇李仪
  • 1篇金亿鑫
  • 1篇李菊生
  • 1篇刘向东
  • 1篇阎大卫
  • 1篇秦福文
  • 1篇蒋红
  • 1篇龚平
  • 1篇胡恺生
  • 1篇时伯荣
  • 1篇靳春明

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇光电子技术
  • 1篇第六届全国L...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 5篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1990
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
深能级及其在发光研究中的应用
1995年
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。
高瑛赵家龙刘学彦苏锡安粱家昌胡恺生
关键词：深能级场致发光
Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究被引量：4
1994年
用芦瑟夫背散射（ＲＢＳ）和光致发光（ＰＬ）研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性质。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。
李仪李菊生金亿鑫时伯荣蒋红翟宏营刘学彦刘向东
关键词：发光铒离子注入卢瑟福背散射
金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
1995年
本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
金属有机物化学气相沉积GaAs／Si外延层中1．13eV发光带特性研究
1995年
用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系，确定施主和受主的束缚能分别为５和２９５ｍｅＶ，并证实ＧａＡｓ／Ｓｉ外延层中的１．１３ｅＶ发光为硅施主－镓空位受主对的复合发光．
赵家龙高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷
关键词：光致发光深能级外延层砷化镓
In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光
1995年
本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安秦福文杨树人刘宝林陈佰军刘式墉
关键词：INGAAS磷化铟光致发光
Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应
1995年
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。
赵家龙高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷
关键词：光致发光深中心砷化镓半导体薄膜
Ga<,1-x>Al<,x>As外延片有源区Al组份值的测定
刘学彦
关键词：外延片半导体材料
InP中和C带有关深能级的近红外光致发光被引量：1
1990年
本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。
高瑛刘学彦刘益春阎大卫
关键词：INPC带能级光致红外
阴极射线辐照纯绿GaP发光二极管中深能级的研究
1994年
利用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了阴极射线辐照 GaP 纯绿发光二极管(LED)中的深能级,测量到两个激活能为0.45 eV、0.66 eV 的电子陷阱和一个激活能为0.33 eV 的空穴陷阱。证实了0.66 eV 的电子陷阱和0.33 eV 的空穴陷阱与辐照引起的晶格缺陷有关,同时发现阴极射线辐照引起谱峰加宽。
苏锡安高瑛赵家龙刘学彦
关键词：发光二极管深能级磷化镓
Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究
1996年
利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．
赵家龙靳春明高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷
关键词：硅衬底薄膜生长
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