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余力澜

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇多通道
  • 4篇恒流
  • 4篇恒流源
  • 2篇电流镜
  • 2篇电路
  • 2篇电压
  • 2篇端电压
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇栅压
  • 2篇驱动电路
  • 2篇功率管
  • 2篇MOSFET

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇余力澜
  • 4篇吉利久
  • 4篇张雅聪
  • 4篇尹航
  • 4篇鲁文高
  • 4篇陈中建
  • 4篇王冠男
  • 4篇黄泽
  • 4篇王钊

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于恒定栅压线性区MOSFET的多通道LED恒流源驱动
本发明提供了一种基于恒定栅压线性区MOSFET的低失配多通道LED恒流源驱动，该LED恒流源驱动电路包括电压产生模块VGEN和n个通道，VGEN模块中的功率管为工作在线性区的MOSFET，其漏端电压和其上的电流近似成正比...
鲁文高黄泽王钊尹航余力澜王冠男张雅聪陈中建吉利久
文献传递
一种基于局部匹配的多通道LED恒流源驱动电路
本发明提供了一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包括一个VG产生电路、一个电流源ID、一个电流镜、n个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据...
黄泽鲁文高余力澜王冠男王钊尹航张雅聪陈中建吉利久
文献传递
基于恒定栅压线性区MOSFET的多通道LED恒流源驱动
本发明提供了一种基于恒定栅压线性区MOSFET的低失配多通道LED恒流源驱动，该LED恒流源驱动电路包括电压产生模块VGEN和n个通道，VGEN模块中的功率管为工作在线性区的MOSFET，其漏端电压和其上的电流近似成正比...
鲁文高黄泽王钊尹航余力澜王冠男张雅聪陈中建吉利久
一种基于局部匹配的多通道LED恒流源驱动电路
本发明提供了一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包括一个VG产生电路、一个电流源ID、一个电流镜、n个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据...
黄泽鲁文高余力澜王冠男王钊尹航张雅聪陈中建吉利久
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