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代涛
作品数:
13
被引量:1
H指数:1
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
章蓓
北京大学物理学院人工微结构与介...
包魁
北京大学物理学院
张国义
北京大学物理学院人工微结构与介...
康香宁
北京大学物理学院人工微结构与介...
徐军
北京大学
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电极
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钝化层
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多量子阱
机构
13篇
北京大学
作者
13篇
代涛
9篇
章蓓
6篇
张国义
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包魁
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康香宁
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徐军
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胡成余
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2007
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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法,它包括以下三个主要步骤:计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求...
徐军
章蓓
张振生
代涛
文献传递
一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法
本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法,包括如下步骤:1)根据需要,设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构;2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上,使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定...
章蓓
代涛
徐军
文献传递
基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法,它包括以下三个主要步骤:计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求...
徐军
章蓓
张振生
代涛
文献传递
薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法,属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括:在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料,包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层;在Ga...
康香宁
章蓓
包魁
代涛
张国义
文献传递
用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强
被引量:1
2007年
为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.
包魁
章蓓
代涛
康香宁
陈志忠
王志敏
陈勇
关键词:
GAN基发光二极管
出光效率
纳米压印技术
微结构
一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法,属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括:在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后,P型和N型电极蒸镀前,将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理;优化...
李睿
胡晓东
徐科
代涛
陈伟华
胡成余
包魁
王彦杰
张国义
文献传递
薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法,属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括:在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料,包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层;在Ga...
康香宁
章蓓
包魁
代涛
张国义
文献传递
氮化镓基光子晶格及其发光器件研究
光子晶格是一类由不同介质在光学波长相比拟的尺度上交替排列组成的微纳结构。与均匀介质不同,光子晶格中光的发射或传播行为会发生变化,使人们有可能利用光子晶格来控制光的各种行为。因此光子晶格不仅为研究光与物质相互作用提供新的对...
代涛
关键词:
氮化镓
光子晶格
发光二极管
半导体激光器
激光剥离N极性面GaN的表面粗糙化研究
结合制备功率型GaN基发光二极管(LED)的具体要求,为提高GaN基LED的出光效率提供切实可行的技术方案,通过激光剥离技术(LLO)获得了具有N极性面的GaN材料,利用KOH溶液和反应离子刻蚀的方法在N极性的GaN上获...
康香宁
魏伟
易业文
方浩
代涛
章蓓
张国义
关键词:
激光剥离
氮化镓
发光二极管
出光效率
表面形貌
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一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法
本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法,包括如下步骤:1)根据需要,设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构;2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上,使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定...
章蓓
代涛
徐军
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