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黄红梁

作品数:3 被引量:16H指数:2
供职机构:福州大学物理与信息工程学院微纳器件与太阳能电池研究所更多>>
发文基金:福建省科技计划重点项目福建省教育厅资助项目教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇ZNS薄膜
  • 2篇电子束蒸发
  • 1篇电学性能
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇AG掺杂
  • 1篇表面形貌
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇福州大学

作者

  • 3篇黄红梁
  • 3篇程树英
  • 1篇黄碧华
  • 1篇赖松林
  • 1篇林珊

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Ag掺杂对Zns薄膜性能的影响
在玻璃基片上分别制备了ZnS和ZnS:Ag薄膜,研究掺Ag对薄膜性能的影响.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明,所制备的薄膜为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明...
黄红梁程树英
关键词:电学性能表面形貌
文献传递
退火温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量:7
2010年
为了获得光电性能好的ZnS窗口层薄膜,采用电子束蒸发法在玻璃基片上沉积ZnS薄膜,研究退火温度(200-500℃)对ZnS薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:所制备的薄膜均为闪锌矿结构的β-ZnS多晶薄膜,导电类型为n型。随着退火温度的增高,薄膜结晶度和光电性能都变好。但是,当退火温度过高(500℃)时,薄膜的半导体特性反而变差。退火温度为400℃时,ZnS薄膜的性能最佳,此时薄膜的透过率较高;电阻率较低,为246.2Ω·cm。
赖松林程树英黄红梁林珊
关键词:ZNS薄膜电子束蒸发退火温度光电性能
基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量:11
2009年
采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小。
黄红梁程树英黄碧华
关键词:ZNS薄膜电子束蒸发基片温度
共1页<1>
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