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黄智鹏
作品数:
6
被引量:17
H指数:1
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
政治法律
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合作作者
朱静
清华大学
吴茵
清华大学
孙文秀
清华大学
张鹭
清华大学
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反应离子刻蚀
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多壁碳纳米管
机构
6篇
清华大学
作者
6篇
黄智鹏
5篇
朱静
2篇
吴茵
1篇
张鹭
1篇
孙文秀
传媒
1篇
光谱学与光谱...
年份
1篇
2009
3篇
2007
1篇
2006
1篇
2005
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6
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一种硅纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯小球溶液用微量可...
黄智鹏
朱静
文献传递
一种硅纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、酸性清洗液和标准清洗1号溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯小球溶液用微量可...
黄智鹏
朱静
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浓硝酸处理前后多壁碳纳米管的荧光特性研究
被引量:17
2005年
对浓硝酸处理前后多壁碳纳米管的荧光特性进行了研究,结果发现多壁碳纳米管在浓硝酸处理前后都能产生荧光;与浓硝酸处理前相比,浓硝酸处理后的多壁碳纳米管的荧光有所增强,且荧光谱峰向短波长方向发生蓝移。碳纳米管产生的荧光与碳纳米管在其缺陷处捕获激发光的能量以及最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙有关。多壁碳纳米管在浓硝酸处理前后都有缺陷,因而都能在其缺陷处捕获激发光能量而产生荧光;浓硝酸处理引起多壁碳纳米管的缺陷增多、捕获激发光能量增加因而荧光也随之增强。碳纳米管的最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙随其长度减小而增大,浓硝酸处理引起多壁碳纳米管被削短导致其最低空轨道和最高占有轨道之间的能隙增大,因而引起多壁碳纳米管的荧光谱峰向短波方向蓝移。
孙文秀
黄智鹏
张鹭
朱静
关键词:
能隙
多壁碳纳米管
荧光谱
蓝移
浓硝酸
荧光特性
硅基纳米结构的制备及其光致发光性能研究
黄智鹏
关键词:
硅基材料
光致发光
硅和硅锗量子点阵列的制备方法
硅和硅锗量子点阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯...
黄智鹏
吴茵
朱静
文献传递
硅和硅锗量子点阵列的制备方法
硅和硅锗量子点阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯...
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