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韩郑生: 作品数：652 被引量：237H指数：7; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

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磁存储器驱动电路界面平坦化研究: 2006年; 利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.; 杜寰赵玉印韩郑生夏洋张志纯; 关键词：磁存储器平坦化表面粗糙度均方根值

一种适用于D类音频功放的LDMOS设计与模拟: 本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSUPREM-4软件对其进行了工艺模拟,根据工艺模拟的结果,又利用MIDICI进...; 许高博韩郑生; 关键词：音频功放集成电路; 文献传递

一种宏单元、二进制码到温度计码的译码方法及译码电路: 本发明公开了一种宏单元，该宏单元包括一个二输入的或门和一个二输入的与门。应用该宏单元的二进制码到温度计码的译码方法逻辑深度小。同时，本发明公开了一种二进制码到温度计码的译码方法，该方法包括将n位数字信号划分为基数为2的二...; 赵博华黄苒杜寰罗家俊韩郑生; 文献传递

MOS器件的建模方法: 本发明提供一种MOS器件的建模方法，包括：建立定义与STI相关的尺寸的一组参数，其中至少一个参数定义了STI的宽度或者栅宽方向上到STI的距离；建立所述一组参数对阈值电压和迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的...; 卜建辉毕津顺梅博罗家俊韩郑生; 文献传递

一种半导体器件及制作方法: 本申请提供了一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧表面上的配置层，所述配置层包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的掺杂类型相反，以在二者界面形成PN结；位于所述配置层背离所述衬底...; 陆芃孙一超高见头李博韩郑生

一种MOS栅控晶闸管: 本发明提供一种MOS栅控晶闸管。所述MOS栅控晶闸管包括阴极、栅极和阳极三个电极，其中，所述栅极包括NMOS和PMOS，所述MOS栅控晶闸管还包括N‑P‑N‑P四层结构区和P<Sup>+</Sup>扩散区，其中，所述N‑...; 胡飞宋李梅韩郑生杜寰; 文献传递

基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置: 本发明涉及基准电压技术领域，具体涉及一种基于NMOS温度补偿特性基准电压产生电路及设计方法和装置。该电路中，MP1的源极接工作电压VDD；MP1的漏极通过R1接MN1的漏极；MP1的漏极还依次通过R2和分压电路接地；MN...; 赵文欣许婷刘海南罗家俊韩郑生赵发展

一种电压基准电路、元器件及设备: 本发明公开了一种电压基准电路、元器件及设备，通过将第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极与电源端连接；电容的一端、第一PMOS管的栅极和漏极、第二PMOS管的栅极，以及第二NMOS管的漏极相互连接；第二PMOS管的漏...; 赵文欣丁一男刘海南罗家俊韩郑生赵发展

栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究: 2009年; 测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。; 曾传滨海潮和李多力韩郑生; 关键词：金属氧化物半导体绝缘体上硅闩锁

部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究被引量：1: 2020年; NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究。通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压。试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行了NBTI效应寿命预测,实现了对自有1.2μm工艺PDSOI器件的高温可靠性评价。; 王成成周龙达蒲石王芳杨红王芳杨红曾传滨韩郑生; 关键词：负偏压温度不稳定性 PDSOI 阈值电压可靠性