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韩沧

作品数:36 被引量:30H指数:3
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:科研院所技术开发研究专项资金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程电气工程冶金工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 3篇冶金工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 18篇靶材
  • 13篇电池
  • 13篇热压
  • 8篇锂离子
  • 8篇锂离子电池
  • 8篇离子
  • 8篇离子电池
  • 7篇陶瓷靶材
  • 5篇真空
  • 5篇真空热压
  • 5篇相对密度
  • 5篇合金
  • 5篇粉体
  • 4篇可逆
  • 4篇高温
  • 3篇正极
  • 3篇正极材料
  • 3篇氩气
  • 3篇溅射
  • 3篇溅射靶材

机构

  • 36篇北京有色金属...
  • 1篇清华大学

作者

  • 36篇韩沧
  • 25篇王星明
  • 25篇储茂友
  • 21篇段华英
  • 19篇张碧田
  • 14篇白雪
  • 10篇孙静
  • 9篇卢世刚
  • 8篇潘德明
  • 7篇李文忠
  • 7篇刘人敏
  • 6篇石志霞
  • 6篇颜广炅
  • 6篇陈洋
  • 5篇金维华
  • 5篇邓世斌
  • 5篇刘宇阳
  • 4篇杨新河
  • 4篇张明贤
  • 4篇贾玉兰

传媒

  • 5篇粉末冶金技术
  • 1篇电化学
  • 1篇材料导报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电池
  • 1篇中国电池工业...
  • 1篇北京金属学会...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1996
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高纯氧化镁粉体的制备方法
本发明涉及一种高纯氧化镁粉体的制备方法,属于湿法冶金领域。其制备步骤包括:用去离子水溶解氯化镁,配制氯化镁溶液;根据溶解平衡原理,计算各杂质离子的起始沉淀pH值,确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围,加入碱性试剂,调节...
王星明何芬段华英张碧田储茂友石志霞孙静韩沧
原料处理工艺及气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响被引量:3
2017年
以ZnO和Al_2O_3粉体为原料,按照98∶2(质量比)球磨混合制备氧化锌铝(aluminum zinc oxide,AZO)粉体,通过扫描电镜和透射电镜观察粉体形貌及均匀性,确立最佳混合工艺;将混合均匀的粉体进行煅烧预处理后进行热压烧结致密化试验,通过差热法分析原料性能,阿基米德法分析靶材密度以及压汞实验分析气孔演化对AZO靶材烧结致密化的影响。结果表明:微纳米粉体在球磨4 hr时Al元素分布均匀性最好,煅烧前的混合粉体在差热分析过程中失重0.43%并伴随放热效应;煅烧处理后粉体形貌类球形,在差热分析实验0℃-1000℃无失重,表明挥发组分排除干净且无异常放热效应,烧结性能得到优化。采用预处理的AZO粉体在不同热压温度和保温时间下制备AZO靶材,分析热压致密过程中平均孔径和闭孔率的变化规律。由此发现:在热压致密化初级阶段(温度900℃~1100℃时),连通气孔发生合并与生长,平均孔径先稍有收缩随后迅速增大为158 nm,同时闭孔率维持在0.5%以下,靶材密度不断上升;当温度升高至1150℃时,连通孔径逐渐缩小至108 nm,大量连通气孔转为闭合状态导致闭孔率迅速上升至7.2%以上,表明体系已经进入到热压深度致密化阶段。在1150℃、18 MPa下,保温时间延长到70 min时,连通气孔合并生长同时闭孔率异常增加至7%,孔径分布范围变宽导致出现反致密化现象;当保温保压时间延长至90 min时,气孔尺寸减小到136 nm,闭孔率下降至3.7%,靶材相对密度上升到96.2%,在较低压力和较短保温时间下实现了AZO靶材的深度致密化。
白雪王星明储茂友刘宇阳段华英韩沧
关键词:热压靶材孔径煅烧
AZO靶材热压致密化过程中晶粒生长规律研究被引量:2
2017年
分别以98:2(质量比)的ZnO–Al_2O_3混合粉体和预处理粉体为原料,在不同热压温度、压力、保温时间下,采用原位热压工艺制备铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,AZO)靶材。通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察靶材晶粒形貌、阿基米德法测定试样密度、X射线衍射仪分析物相组成以及晶粒大小,四探针测试电阻率,研究靶材热压致密化过程中的晶粒生长规律及细晶高密靶材的制备工艺。结果表明:热压温度为900℃时,晶粒尺寸与原料粉体接近,颗粒之间只形成烧结颈,扩散反应不完全,掺杂替位效应弱,电阻率为0.284W×cm;热压温度上升至1000℃时,ZnO蒸发凝聚形成众多小颗粒导致衍射峰宽化,颗粒之间逐渐结合紧密,Al原子替位效应增强,电阻率降低至0.093W×cm;在热压温度为1100~1150℃时,靶材相对密度不断上升,体系中形成众多的岛状细晶,电阻率下降至1.5′10^(-4)W×cm;在温度1100℃时,随着压力的升高,靶材相对密度从15 MPa时的88.00%上升到35 MPa时的95.60%,晶粒尺寸略有减小;在热压温度1150℃时,随着保温时间的延长,晶粒尺寸生长有限,靶材的反致密化现象与晶粒生长无关。煅烧混合粉体在热压温度1150℃,压力18 MPa,保温时间90 min时,靶材相对密度最高达96.28%,电阻率低至1.6′10^(-4)W×cm,扫描电子显微镜观察晶粒细小,满足溅射靶材的性能要求。
石季平白雪刘宇阳王星明储茂友段华英韩沧
关键词:热压靶材晶粒
高纯氧化镁粉体的制备方法
本发明涉及一种高纯氧化镁粉体的制备方法,属于湿法冶金领域。其制备步骤包括:用去离子水溶解氯化镁,配制氯化镁溶液;根据溶解平衡原理,计算各杂质离子的起始沉淀pH值,确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围,加入碱性试剂,调节...
王星明何芬段华英张碧田储茂友石志霞孙静韩沧
文献传递
一种锡酸镉靶材及其制备方法
本发明涉及一种锡酸镉靶材及其制备方法,属于陶瓷靶材技术领域。该锡酸镉靶材的组成为Cd<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>和CdSnO<Sub>3</Sub>,其中Cd<Sub>2</Sub>SnO<Su...
刘宇阳白雪王星明储茂友韩沧张碧田段华英
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锂离子电池用复合石墨负极材料及其制备的方法
本发明涉及锂离子电池用复合石墨负极材料及制法。它以石墨粉颗粒为核心,热解碳为外包覆材料,它含有石墨50-99%,热解碳1-50%,导电剂为石墨量的0.01-10%,其比表面为0.5-20平方米/克。制法是将溶解的有机高分...
吴国良刘人敏高兆祖阚素荣王向东李文忠董桑林韩沧卢世刚金维华杨新河黄松涛赵国权车小奎贾玉兰
文献传递
一种CdTe溅射靶材的制备方法
本发明涉及一种CdTe溅射靶材的制备方法,属于太阳能电池材料领域。该方法包括如下步骤:(1)将真空熔炼制备的CdTe块体,破碎研磨成粉,将得到的CdTe粉末装入模具,进行冷压成型;(2)冷压成型后,放置于热压炉内,进行真...
储茂友王星明白雪韩沧张碧田
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掺杂Sn,Bi的Ge_2Sb_2Te_5相变存储靶材制备和薄膜性能研究
2013年
在前期Ge-Sb-Te基相变存储材料Ge2Sb2Te5靶材和薄膜制备研究的基础上,分别选取掺杂5.6%(原子分数)的Sn,Bi作为添加剂对其进行掺杂改性。采用热压法制备出高主相含量、高致密度六方结构Ge2Sb2Te5基靶材。常温下沉积的薄膜为非晶态,经150~350℃退火处理,薄膜相结构经历了由非晶态到立方相再到六方相的相转变过程。掺杂5.6%(原子分数)的Sn在入射光波长为500 nm时的反射率对比度相比未掺杂薄膜提高了14%,该薄膜潜在的光存储性能更好。掺杂Sn,Bi后结晶态与非晶态间的电阻率差异度有所增加。
储茂友林阳王星明陈洋白雪韩沧
关键词:相变存储掺杂改性靶材
锂离子电池用复合石墨负极材料及其制备的方法
本发明涉及锂离子电池用复合石墨负极材料及制法。它以石墨粉颗粒为核心,热解碳为外包覆材料,它含有石墨50-99%,热解碳1-50%,导电剂为石墨量的0.01-10%,其比表面为0.5-20平方米/克。制法是将溶解的有机高分...
吴国良刘人敏高兆祖阚素荣王向东李文忠董桑林韩沧卢世刚金维华杨新河黄松涛赵国权车小奎贾玉兰
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中折射率光学薄膜用蒸发材料及制备方法
膜层致密、牢固、化学稳定性好,在近紫外到近红外有较高的透过率的中折射率光学薄膜用蒸发材料及其制备方法。技术方案是:中折射率光学薄膜用蒸发材料,其特征在于所述材料是熔融材料,由化学式为LaAlO<Sub>3</Sub>和L...
张碧田张明贤龚述荣潘德明段华英孙静王星明储茂友邓世斌韩沧
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