陈捷
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si_3N_4膜对MOS电容器存储时间影响的研究
- 2006年
- Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。在850℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s。在50 Pa真空压力下,通过淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器无存储时间。经900℃O2气氛退火40 min,MOS电容器的存储时间也不到2 s。采用7孔径降低气体流速,从而降低淀积速率,在840℃下,栅介质SiO2膜厚度100 nm,MOS电容器存储时间420 s;在60.71 Pa真空压力下,淀积70 nm厚Si3N4薄膜后,MOS电容器存储时间曲线不正常,经900℃O2气氛退火40 min,曲线恢复正常,MOS电容器存储时间达到400 s以上。
- 陈忠和许青高燕陈捷
- 关键词：退火
- 消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
- 2008年
- 对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
- 李平郑杏平李仁豪雷仁方许宏韩恒利陈捷张故万汪琳
- 关键词：电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
- 背照式CCD量子效率的工艺仿真研究
- 2016年
- 使用Silvaco软件建立了背照式CCD仿真模型,利用该模型进行了工艺和器件仿真,研究了背面减薄、背面掺杂、界面陷阱和增透膜对背照式CCD量子效率的影响。仿真结果表明:界面陷阱和硅表面反射是量子效率损失的重要原因。在完全去除过渡区后,利用峰值位于表面且具有高杂质浓度梯度的背面掺杂和适当的单层增透膜,可获得峰值在90%以上的量子效率。
- 姜华男陈捷韩恒利熊玲
- 关键词：量子效率
