您的位置: 专家智库 > >

贾刚

作品数:65 被引量:47H指数:4
供职机构:吉林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省高等教育教学研究课题更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 19篇会议论文
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 16篇理学
  • 10篇机械工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字

主题

  • 17篇半导体
  • 15篇电光
  • 10篇激光
  • 9篇电路
  • 9篇激光器
  • 9篇集成电路
  • 9篇半导体激光
  • 8篇半导体激光器
  • 7篇脉冲
  • 7篇光学
  • 7篇超短
  • 6篇电光效应
  • 6篇调制
  • 6篇硅材料
  • 6篇倍频
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硼
  • 5篇信号
  • 5篇线性电光效应
  • 5篇立方氮化硼

机构

  • 55篇吉林大学
  • 3篇集成光电子学...
  • 2篇长春理工大学
  • 1篇黑龙江大学
  • 1篇昆明理工大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇吉林建筑工程...

作者

  • 57篇贾刚
  • 33篇陈占国
  • 24篇刘秀环
  • 18篇衣茂斌
  • 13篇孙伟
  • 12篇高鼎三
  • 8篇时宝
  • 7篇朱景程
  • 5篇张晓婷
  • 5篇李海兰
  • 5篇高延军
  • 4篇牟晋博
  • 4篇张铁臣
  • 4篇张玉红
  • 4篇高延军
  • 4篇曹杰
  • 4篇孙建国
  • 4篇窦庆萍
  • 3篇刘海波
  • 3篇任策

传媒

  • 6篇Journa...
  • 5篇红外与毫米波...
  • 4篇吉林大学自然...
  • 3篇红外与激光工...
  • 2篇光学学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇2007年先...
  • 1篇电子学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇微电子学
  • 1篇红外研究
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇理工高教研究
  • 1篇2007年激...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇1993年全...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
65 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
立方氮化硼晶体的硅掺杂
立方氮化硼(cBN)是禁带宽度最大的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,约为6.4eV,其热导率仅次于金刚石,约13 W/cm·K,本征击穿电场高达8×106V/cm,有很高的化学稳定性、热稳定性,以及很强的抗高能粒子辐射能力,而且能够...
李鑫璐冯双王琦刘秀环侯丽新高延军贾刚陈占国
增益开关半导体激光超短脉冲研究被引量:1
1996年
本文对增益开关法产生半导体激光超短脉冲进行了理论分析和实验研究,得到一些有意义的结论.
贾刚衣茂斌孙伟高鼎三
关键词:超短脉冲半导体激光器增益开关
硅光电二极管的双光子响应被引量:4
2001年
报道用连续光 1 .3 μm In Ga As P半导体激光器探测硅光电二极管中的双光子响应 (我们把倍频效应和双光子吸收统称为双光子响应 ) .通过实验 。
刘云龙贾刚周志雄陈占国
关键词:双光子吸收倍频硅光电二极管
Optical Rectification Induced by Al-Si Schottky Barrier Potential and Mechanism of Two-Photon Response
2002年
By observing two-photon response and anisotropy of the light-induced voltage in Al-Si Schottky barrier potential,it is certified from the experimental and theoretical analysis that the built-in electric field generated by the Schottky barrier potential will induce the phenomena of optical rectification in Si photodiode.Thus,it is deduced that there must be double-frequency absorption caused by phase-mismatch in the mechanism of two-photon response of Si photodiode.If the intensity of the built-in electric field is strong enough,the double-frequency absorption will be the main factor of the two-photon response,which is different from the conventional opinion that the two-photon response is just the two-photon absorption.
刘云龙贾刚周志雄陈占国张晓婷李海兰
1.3μm InGaAsP激光器无偏置增益调制产生ps光脉冲被引量:1
1993年
本文通过求解非线性速率方程分析了半导体激光器增益调制产生ps光脉冲的动力学过程。用自制的双雪崩脉冲发生器产生的短电脉冲无偏置直接驱动InGaAsP激光器获得15ps(FWHM)光脉冲。
孙伟衣茂斌贾刚高鼎三
关键词:半导体激光器增益调制
硅材料的场致线性电光效应被引量:2
2009年
从经典的极化理论出发,分析了直流电场、低频调制电场和光波电场共同存在时硅材料折射率的变化,从理论上揭示了场致线性电光效应的物理实质。以近本征硅材料为样品,采用金属-绝缘体-半导体样品结构,搭建了由塞纳蒙(Senarmont)补偿器改进成的横向电光调制系统。在硅材料空间电荷区内观测到显著的线性电光调制效应,系统的半波电压小于170 V,从实验上直接证实了硅材料中内建电场诱导的场致线性电光效应的存在。此外还观测到由克尔效应引起的二次电光调制信号,以及由场致光整流效应引起的、随线偏振光的方位角的二倍余弦变化的电信号。实验结果与经典极化理论的预期完全一致,也间接证实了硅材料中场致线性电光效应的存在。
陈占国赵建勋张玉红贾刚刘秀环任策武文卿孙鉴波曹昆王爽时宝
关键词:非线性光学硅材料
砷化镓高速器件和集成电路在片光学检测
贾刚王佳生
关键词:砷化镓半导体器件集成电路光学检验
用半导体激光器超高速电光采样技术测量微波信号被引量:3
1992年
利用半导体激光器作为采样光源的超高速电光采样测试系统(时间分辨率最高可达16.7ps,电压灵敏度为0.26mVHz^(-1/2)).测量了1~5GHz的微波信号和同轴电缆传输线的色散展宽.
孙伟衣茂斌王艳辉刘宗顺贾刚高鼎三
关键词:电光采样半导体激光器微波信号
强调制半导体激光超短光脉冲
1996年
从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲,解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果.
贾刚衣茂斌孙伟高鼎三
关键词:半导体激光器超短光脉冲
硅材料场致等效二阶极化率张量的研究
具有反演对称中心的硅单品在电场作用下体内的反演对称中心消<br>  失,因两理论上应严生偶数阶非线性极化率。本文从<br>  理论上根据矢量与张量的作用,利用X(2)eff=X(3)·E...
刘秀环陈占国贾刚张晓婷张玉红
关键词:硅材料电场作用非线性光学
共6页<123456>
聚类工具0