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蔡承宇

作品数：3 被引量：4H指数：2
供职机构：浙江工业大学机电工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇导体
  • 2篇应力
  • 2篇自由能
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体量子点
  • 1篇应变能
  • 1篇应力分布
  • 1篇应力应变
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇埋置
  • 1篇SI
  • 1篇GE/SI

机构

  • 3篇浙江工业大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 3篇蔡承宇
  • 2篇周旺民
  • 1篇王崇愚
  • 1篇尹姝媛

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Ge//Si半导体量子点应力应变分布研究
半导体量子点材料由于其具有的特殊效应，在未来的半导体工业中有着很大的应用前景。利用两种半导体材料的晶格错配，自组织生长量子点，目前已经引起了极大的兴趣和关注。在量子点的自组织生长过程中，应变分布在浸润层的形态变化中起着关...
蔡承宇
关键词：量子点应变能自由能
Ge/Si半导体量子点的应变分布与平衡形态被引量：2
2007年
基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了金字塔形自组织Ge/Si半导体量子点应变能随高宽比变化的规律:系统的应变能随着高宽比的增大而逐渐减小.并通过自由能(应变能与表面能之和)讨论了量子点的平衡形态.结果表明,对于固定体积的量子点,存在一个高宽比值,称之为平衡高宽比,使得系统的自由能最低.同时,还给出了量子点的应力、应变、流体静应变及双轴应变分布.这些可以作为阐明应变自组织量子点实验的理论基础.
蔡承宇周旺民
关键词：量子点自由能
埋置量子点应力分布的有限元分析被引量：3
2009年
通过衬底材料和外延材料的交替生长方式制备出多层排列的自组装量子点超晶格结构.这些埋置量子点的应力/应变场影响着它们的光电性能、压电性能以及力学稳定性.基于各向异性弹性理论的有限元方法,研究了埋置金字塔形应变自组织Ge/Si半导体量子点的应力/应变分布以及流体静应变和双轴应变分布,并与非埋置量子点的应力/应变分布做了比较,指出了它们之间的异同以及覆盖层对量子点应力/应变分布的影响.
周旺民蔡承宇王崇愚尹姝媛
关键词：量子点应力分布
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