蒋辉
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 单片式智能功率IC功率管及使能电路设计
- 单片式智能功率集成电路具有成本低、体积小、工作稳定等诸多优点,自20世纪90年代中期问世以来已得到广泛应用。功率半导体器件是单片式智能功率集成电路发展的关键所在,如何提高功率半导体器件的耐压、降低其导通电阻以及解决其工艺...
- 蒋辉
- 关键词：高压LDMOS击穿电压导通电阻
- 文献传递
- 一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
- 本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
- 方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊
- 基于深度学习的人员作业状态识别技术研究及应用
- 蒋辉
- 4H-SIC阳极凹槽肖特基二极管耐压与凹槽深度的关系
- 本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时，阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽，降低阳极电场，从而可以提高器件的击穿电压。通过器件仿真，从耐压的角度，对阳极凹槽深度进行了优化。当阳极凹槽深度为0.7μm时...
- 蒋辉叶毅罗小蓉
- 关键词：半导体器件肖特基二极管击穿电压
- 文献传递
- 新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究被引量：2
- 2008年
- 提出了一种新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF技术,提高器件击穿电压和正向导通特性;利用二维数值模拟,从耐压的角度,对降场层的厚度、浓度和长度进行优化。结果表明,新结构较之常规单RESURF结构,击穿电压从890 V提高到1672 V,导通电流为80 mA/mm时,压降从4.4 V降低到2.8 V。
- 叶毅张金平罗小蓉张波李肇基蒋辉
- 关键词：肖特基二极管降低表面电场击穿电压
- 双面介质槽部分SOI材料的制备方法
- 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
- 罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
- 文献传递
- 农业物联网决策系统数据处理方法研究
- 农业物联网是物联网技术在农业生产管理中的具体应用。决策系统是农业物联网中非常重要的一个部分，负责数据信息的处理、分析、推理和决策，为生产管理提供决策支持以利于农业生产。而粮食产量预测是决策系统中的重要功能模块，对农作物品...
- 蒋辉
- 关键词：农业物联网人工神经网络支持向量机数据处理决策系统
- 文献传递
- 双面介质槽部分SOI材料的制备方法
- 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO<Sub>2</Sub>层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的...
- 罗小蓉雷磊傅达平高唤梅蒋辉雷天飞王元刚
- 文献传递
- 一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法
- 本发明涉及一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法。高压低导通电阻LDMOS器件包括P外延、P阱区、N<Sup>+</Sup>阳极、N<Sup>+</Sup>阴极、P<Sup>+</Sup>阴极引出端、阳极多晶场板、...
- 方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊
- 文献传递
