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胡桂青

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇SI
  • 2篇电子能量损失...
  • 2篇TEM观察
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化镓
  • 1篇铁电
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇位错
  • 1篇结构参数
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SI(111...
  • 1篇SR
  • 1篇SRTIO
  • 1篇TEM
  • 1篇YBA
  • 1篇ALN
  • 1篇GAAS(0...
  • 1篇衬底
  • 1篇BA
  • 1篇GAAS

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇胡桂青
  • 5篇段晓峰
  • 2篇陆沅
  • 2篇刘祥林
  • 2篇孔翔
  • 2篇孔翔
  • 1篇万里
  • 1篇万里
  • 1篇孔祥
  • 1篇齐笑迎
  • 1篇赵柏儒
  • 1篇王乙潜
  • 1篇王乙潜
  • 1篇杨浩

传媒

  • 3篇电子显微学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 4篇2002
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
Si(111)和GaAs(001)衬底上生长六方GaN的微结构及B<'+>注入Si形成位错的透射电子显微学研究
该论文利用透射电子显微学的分析技术研究了Si(111)和GaAs(001)衬底上生长的六方GaN的微结构及30KeVB<'+>注入Si后形成的位错.主要包括以下内容:1.研究了Si(111)衬底上生长的六方GaN的微结构...
胡桂青
关键词：位错SIGAASALN
文献传递
(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察
胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
文献传递
(001)SrTiO_3衬底上的Ba_(0.7)Sr(0.3)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延生长薄膜的界面结构研究
2004年
本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0 7Sr0 3TiO3 YBa2Cu3O7-δ(BST YBCO)外延薄膜的界面结构。结果表明在BST YBCO界面形成了阶梯(step terrace)结构,同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后,也可能按照台阶生长(step flow)模型生长出完好的BST薄膜。
齐笑迎杨浩孔祥胡桂青段晓峰赵柏儒
关键词：结构参数
电子能量损失谱研究GaN的极性
2002年
孔翔胡桂青段晓峰
关键词：电子能量损失谱GAN
(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察被引量：4
2002年
胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
关键词：TEM氮化镓透射电子显微镜薄膜生长
电子能量损失谱研究GaN的极性
孔翔胡桂青段晓峰
文献传递
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