胡全利
- 作品数：8 被引量：16H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术电气工程理学矿业工程更多>>
- 氢吸收对YBa_2Cu_3O（7－δ）常态电阻率的影响
- 1994年
- 对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δＨｘ样品的研究表明，其常态电阻率ρｎ高达１．１２×１０－５Ω·ｍ，来吸收氢样品的常态电阻率ρｎ’只有４．８×１０－７Ω·ｍ。而吸收氢样品的临界电流密度Ｊｃ只比没吸收氢样品降低２７％。氢在样品中以填隙或吸附的方式存在，其中填隙原子对提高常态电阻率起主要作用。
- 程维王金星胡全利卓毅鲜于泽
- 关键词：高温超导体电阻率
- C60材料红外和拉曼特性被引量：3
- 1996年
- 采用自制的专利设备成功地制备了全碳分子材料Ｃ６０．分析了红外、拉曼光谱图，发现在５２７，５７６，１１８７，１４３０ｃｍ－１处的４个Ｃ６０的红外特性吸收峰．进行了理论计算，结果与实验基本吻合．由红外测试数值计算得出的力常数结果表明。
- 胡全利禹金强李村娟高明鲜于泽李海英高鸿
- 关键词：红外光谱碳60散射谱
- Ba铁氧体溅射薄膜的研究被引量：3
- 1994年
- 研究了射频溅射制备Ｂａ铁氧体薄膜的成膜条件对晶化、晶体结构及磁性能的影响。我们的工作表明，为了使射频溅射Ｂａ铁氧体薄膜形成磁铅石结构的晶体，基板温度需高于６００℃，更高的基板温度可获得好的Ｃ轴垂直取向。非晶膜经热处理晶化所需温度要比直接溅射温度高得多。过大、过小的氧气分压不利于垂直膜的生成。使用挡板对最小溅射角限制以后，可在小的基板－靶间距情况下定得Ｃ轴垂直取向的薄膜。
- 成正维田卫东胡全利严雪琴鲜于泽
- 关键词：BA铁氧体磁性铁氧体射频溅射
- 磁处理提高高水充填材料凝胶体的抗压强度被引量：6
- 1996年
- 利用磁化水拌制高水充填材料,通过均匀设计试验方法分析磁化参数对高水充填材料凝胶体强度的影响,并对磁化参数进行优化;利用此优化参数处理高水充填材料浆体,通过对比试验得出:磁化水拌制高水充填材料可以明显提高其凝胶体抗压强度35%左右.
- 霍广新张洪涛胡全利李希平
- 关键词：高水充填材料巷道支护磁处理抗压强度凝胶体
- 全碳分子电弧合成炉
- 本实用新型公开了一种全碳分子电弧合成炉。它由炉体、电极、真空装置、框架、底座组成。该设备结构简单、使用方便、具有电弧电流可稳定调节、炉内承受高压、生产条件可选择范围大、产品收取方便等特点、也可在严格稳定的工艺条件下用电弧...
- 鲜于泽胡全利高明
- 文献传递
- 全碳分子C_（60）电弧法合成工艺及其机理
- 1995年
- 对电弧法合成全碳分子Ｃ６０（简称Ｃ６０）的工艺及机理进行了研究通过实验，发现气体种类、压力等因素对Ｃ６０产率有明显影响．给出了获得高Ｃ６０产率的氢气压力区域为１０×１０４～１３×１０４Ｐａ在电弧法合成Ｃ６０的机理方面讨论了电弧中电子及气体原于在形成Ｃ６０分子过程中的作用．
- 鲜于泽高明胡全利成正维卓毅宋正芳
- 关键词：电弧法碳60产率
- YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体的50Hz交流损耗研究被引量：2
- 1995年
- 利用瓦特计技术,研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)烧结样品和粉末熔化法(PMP)织构样品在77K和50Hz交变磁场下的交流(ac)损耗(?)实验结果表明,ac损耗(?)同外磁场振幅H_m之间遵从幂函数规律:(?)∝H_m^n对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的烧结样品:(1)当H_m<40Oe时,这样低的磁场已穿透弱连接的晶粒边界网络,导至晶粒间的损耗,(?)∝H_m^(1.6);(2)当40Oe≤H_m<170Oe时,中等磁场破坏了晶粒间的耦合,并且磁通穿进了晶粒内,引起不完全穿透的晶粒内损耗,(?)∝H_m^3;(3)当H_m≥170Oe时,磁场完全穿透晶粒,产生完全穿透的晶粒内损耗,(?)∝H_m。烧结样品晶粒内的ac损耗与Bean模型符合。当H_m约从5Oe增加到1400Oe时,烧结样品的(?)从10^(-7)W/cm^2增加到10^(-3)W/cm^2。对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的PMP织构圆柱样品:(1)当平行于样品轴的磁场振幅H_m≤100Oe时,由样品表面的粗糙度、空隙等引起的损耗,(?)∝H_m^(1.2);(2)当H_m>100Oe时,磁通穿透进样品引起不完全穿透损耗,(?)∝H_m^3,这也与Bean模型符合。在H_m>630Oe的较高磁场下,织构样品的ac损耗比烧结样品的大。
- 王金星胡运明胡全利樊占国单玉桥鲜于泽张平祥周廉纪平吴晓祖
- 关键词：YBCO超导体交流损耗
- 添加元素对Nd-Fe-BHDDR磁粉各向异性及氢化工艺的影响被引量：2
- 1997年
- Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁粉的各向异性是当前日益引人关注的一个问题，对Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁粉各向异性形硬化机制，本文对Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ－Ｃｏ－Ｍ（Ｍ＝Ｇａ，Ｎｂ）系进行了较为系统的研究，发现磁粉的Ｂｒ∥（平行于成形磁场方向）比Ｂｒ⊥（垂直于成形磁场方向）大了近１倍，说明Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ－Ｃｏ－Ｍ系的ＨＤＤＲ磁粉具有较强的各向异性，进一步的研究发现添加Ｇａ有助于提高ＨＤＤＲ磁粉的各向异性，此外本文还就添加元素对ＨＤＤＲ工艺条件的影响进行了研究，最后本文对ＨＤＤＲ法制备的Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁粉磁各向异性的形成机理进行了初步探讨。
- 张振涛成正维蒋龙胡全利胡全利鲜于泽
- 关键词：各向异性HDDR稀土永磁钕
