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王玉泉

作品数:5 被引量:14H指数:3
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:面向21世纪教育振兴行动计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇一般工业技术

主题

  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇石墨化
  • 2篇光学
  • 2篇C/C
  • 2篇C/C复合材...
  • 1篇电学性能
  • 1篇氧化物
  • 1篇预制体
  • 1篇直接蒸发
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨化处理
  • 1篇石墨化度
  • 1篇炭复合材料
  • 1篇炭炭复合材料
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振光
  • 1篇气体分子
  • 1篇强磁场
  • 1篇五氧化二钒

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇王玉泉
  • 2篇邓海金
  • 2篇孙立
  • 2篇李明
  • 1篇张政军

传媒

  • 1篇新型炭材料
  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 2篇2003
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
C/C复合材料的显微和精细结构研究
在炭/炭复合材料的致密化过程中,由于预成型体内沉积工艺参数的波动性很大,使其结构具有多样性,这种多样性表现出丰富多采的微观形貌及特征,不同的结构所对应的材料性能差异也很大。只有搞清这些结构的分类、形貌特征、性能和产生的条...
王玉泉
关键词:C/C复合材料偏振光
文献传递
C布预制体C/C复合材料磁电阻特性研究被引量:3
2003年
C布预制体C/C复合材料试样经不同温度石墨化处理后,通过X射线衍射法标定其石墨化度,研究其磁电阻特性。结果表明:随着石墨化度的提高,C/C复合材料的磁电阻增大;石墨化度对C/C复合材料磁电阻-位向关系无影响,磁电阻-位向关系是材料本身的特性,不随石墨化度、磁场强度、测量温度等因素的变化而变化,实验用材料最大磁电阻出现在90°位向处;固定磁场强度,不同石墨化度试样的最大磁电阻随测量温度(5~300K)的增加线性降低;测量温度高于5K,外加磁场小于1.2T时,磁电阻随磁场强度的增大线性增大,场强高于1.2T后,磁电阻不再随磁场强度的增加而变化;测量温度在4.2K时,磁电阻随外加磁场的变化会出现量子化平台。
王玉泉李明孙立邓海金
关键词:C/C复合材料磁电阻石墨化度
一种体心立方结构五氧化二钒纳米材料的制备方法
本发明公开了属于功能材料制备技术范围的一种体心立方结构五氧化二钒纳米材料的制备方法。该方法是以钒片作为蒸发源,在真空中的直接蒸发方法,实现了在较低温度下直接生长单晶五氧化二钒纳米材料。克服了现有技术的缺陷,因此相比较之下...
张政军王玉泉
文献传递
石墨化处理对炭炭复合材料磁电阻特性的影响研究被引量:6
2003年
 对不同温度石墨化处理得到的炭 炭复合材料的磁电阻特性进行了研究。结果表明:1)实验材料出现最大磁电阻的位向均为45° 135°,炭 炭复合材料磁电阻—位向关系不受石墨化处理温度、外磁场强度、测量温度等因素的影响。2)在同一磁场强度情况下,样品磁电阻与测量温度(5K~300K)呈线性关系变化,温度越高磁电阻越低。并且较低石墨化温度处理的样品在一定温度以上磁电阻降低为0,不再变化;2880℃石墨化处理的样品在一定温度以下出现"磁阻饱和值"。3)磁电阻—测量温度曲线回归方程的斜率项随热处理温度的增加而降低,而截距项随热处理温度的增加而增加。4)测量温度相同时,磁电阻随外加磁场强度的增大而增大,在低场(小于1.2T)下,呈现二次函数关系,场强高于1.2T后,磁电阻—磁场强度关系为线性。不同磁场强度下,随石墨化处理温度的提高,磁电阻也增大。
邓海金李明孙立王玉泉
关键词:石墨化处理磁场强度
钒氧化物纳米材料的制备和性能
本文旨在研究以真空热蒸发法制备具有不同光电特性的氧化钒薄膜,实验中以纯金属钒片为原料、采用真空蒸发法制备VOx薄膜,并对制备的薄膜进行了一系列不同条件的热处理。在所制备纳米结构的基础上,采用现代测试手段对低维钒氧化物纳米...
王玉泉
关键词:光学性能电学性能强磁场
文献传递
共1页<1>
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