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王亚非

作品数：21 被引量：13H指数：2
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部高等学校骨干教师资助计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程艺术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇理学
  • 8篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇艺术

主题

  • 5篇原子
  • 4篇能级
  • 3篇双光子
  • 3篇光子
  • 3篇发光
  • 3篇GAP
  • 2篇艺术
  • 2篇艺术教育
  • 2篇原子能级
  • 2篇生长温度
  • 2篇双光子激发
  • 2篇脉冲
  • 2篇教育
  • 2篇科技教育
  • 2篇科学课
  • 2篇激光
  • 2篇激光脉冲
  • 2篇光场
  • 2篇光谱
  • 2篇半导体

机构

  • 19篇北京师范大学
  • 8篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 1篇福州大学

作者

  • 21篇王亚非
  • 8篇孙寅官
  • 6篇陈晓波
  • 4篇陈鸾
  • 4篇杨锡震
  • 4篇李永良
  • 3篇李桂英
  • 3篇汪华英
  • 3篇田强
  • 3篇刘大禾
  • 3篇吴正龙
  • 2篇宋增福
  • 2篇何琛娟
  • 2篇牛智川
  • 2篇陈英
  • 2篇尤秉信
  • 2篇杨国建
  • 2篇李崧
  • 2篇李永平
  • 2篇张春林

传媒

  • 3篇量子电子学报
  • 3篇北京师范大学...
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇第五届全国量...
  • 1篇第六届全国L...

年份

  • 3篇2014
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
1997年
ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...
李桂英杨锡震孙寅官王亚非
关键词：位错磷化镓单晶
绿色LED用GaP材料LPE艺的改进
李桂英王亚非李永良扬锡震桑丽华孙寅官
关键词：砷化镓材料绿色发光二极管
Er_(0.3)Gd_(0.7)VO_4晶体红外量子剪裁效应及其在太阳能电池应用上的研究被引量：3
2010年
研究了高浓度的Er0.3Gd0.7VO4晶体材料的红外量子剪裁现象,结果发现光激发2H11/2能级和4G11/2能级的4I13/2→4I15/2荧光跃迁的近似的量子剪裁效率η’已达约178.55%和177.61%.发现了Er0.3Gd0.7VO4晶体材料的可见激发的三光子的有效的红外量子剪裁现象和浅紫外激发的四光子的有效的红外量子剪裁现象.发现了一种新颖有趣的激发谱峰"峰-谷"转换的现象.报道了Er0.3Gd0.7VO4晶体材料的基于单种稀土离子Er离子的一级的红外量子剪裁现象.
陈晓波杨国建张春林李永良廖红波张蕴芝陈鸾王亚非
关键词：太阳能电池
EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度
2001年
应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 .给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 。
李永良杨锡震周艳王亚非
关键词：少子扩散长度半导体材料磷化钙P-N结
Fluorolog-Tau-3荧光分光光度仪的性能和测量
荧光光谱仪是最广泛使用的光学分析研究仪器,从定点测量发展到扫描测量乃至寿命测量．而本文研究报道的 Fluorolog-Tau-3皮秒级荧光光谱仪则更是一种强有力的光学分析研究仪器．其特点是既可利用200～700nm 连续...
陈晓波刘凯何琛娟王亚非赵承易陈鸾陈晓端
文献传递
GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响
2003年
用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和 1ML 对异质结带阶的调节 ,得到最大调节量为 0 .2 e V;通过 C- V法研究了异质结的Ga As层在不同温度下生长对 0 .5 ML Si夹层的影响 ,得到 Si夹层的空间分布随 Ga As层生长温度的升高而扩散增强的温度效应 ,通过深能级瞬态谱 (DL TS)研究了在上述不同温度下生长的 Ga As层的晶体质量 .
李永平澜清吴正龙周大勇孔云川牛智川田强杨锡震王亚非
关键词：生长温度分子束外延
在科技教育中引入艺术教育的一点思考
基于教育家杜威的"经验的艺术"教育思想和钱学森等老一辈科学家倡导的科学技术和艺术融合发展的思想，提出在中小学科技教育中引入艺术教育的形式，并引用案例说明其可行性和可能的良好效果。
王亚非张澜
关键词：科技教育艺术教育科学课
激光脉冲双光子激发方法测量Xe原子能级的寿命
本文报导Xe原子4f,4f两个能级寿命的首次测量。实验采用方向相反的两束脉冲激光进行双光子激发,以达到单光子禁戒及单光子能量所不及的高能态,同时避免了多普勒效应和受激辐射的影响,提高了能级的分辨率和实验精度。1.Xe原子...
王亚非孙寅官邹靖尤秉信
文献传递
pr^3＋掺杂透明氟氧化物玻璃陶瓷的光谱特性被引量：1
2011年
根据Pr3+掺杂透明氟氧化物玻璃陶瓷(Pr(0.2)∶FOV)样品在室温下的吸收光谱,分别采用了标准和修正的Judd-Ofelt理论拟合出J-O强度三参量Mn。结果表明,此修正的J-O理论应用到Pr(0.2)∶FOV材料的跃迁强度计算中是合理的和必要的。并由此修正理论计算了各个激发态之间跃迁的振子强度、自发辐射速率、荧光分支比和积分发射截面等光谱参量,分析了Pr3+∶FOV材料的应用价值。其中,特别是3 P0→3 H4,3 P1→3 H5和3 P0→3 H6,3 P0→3 F2等几个强发光能级都有很好的应用前景。由此表明:Pr3+掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷作为固态激光材料有可观的应用前景。
陈英陈晓波陈鸾杨小冬胡丽丽吴正龙于春雷王亚非刘大禾田强
关键词：光谱特性
爱因斯坦A系数不是常参数
爱因斯坦引入A系数和B系数描述原子(或离子)的跃迁过程时,认为它们只与原子结构及跃迁能级有关,而与外界因素无关。近来Aumayr等人发现Ar激光场会使A系数产生改变。但是在他们的实验中可能存在的自吸收会影响结果的可靠性。...
汪华英王亚非孙寅官
文献传递
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