王乔楠
- 作品数：42 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程兵器科学与技术更多>>
- 绝缘子针的制备方法及绝缘子针
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种绝缘子针的制备方法及绝缘子针，该方法包括：分别在上基板和下基板上制备阵列方式排列的多个过孔，并在上基板和下基板的表面以及过孔内溅射种子层；通过逐层电镀的方式，在溅射种子层的上基板和下...
- 李仕俊张延青徐达常青松王乔楠李增路魏少伟许景通李秀琴胡占奎梁红春李壮壮于瑞红康彦红杨亚帅
- 小型化AGC模块研制
- 2022年
- AGC(Automatic Gain Control)模块应用于卫星无线通信系统中,实现中频信号放大以及自动增益控制功能,具有增益高、动态范围大的特点。随着系统小型化需求日益迫切,必须在保持性能和可靠性指标的基础上推进AGC模块小型化。文中首先采用单片电路技术改造混合集成工艺的单元电路,利用E-pHEMT(增强型高电子迁移率晶体管)单片工艺设计了一款电调衰减器及放大器芯片,使单元电路的面积分别缩减至0.9 mm×0.9 mm和0.4 mm×0.6 mm,仅为原单元电路的1/30。通过单元电路与整体电路联合设计优化,在保证整体电路性能的基础上,简化了电路结构,减少了6个元器件。在芯片化改造的基础上,进一步小型化整体电路,使整体电路体积减小了18%。通过上述系列措施,最终将电路体积缩小至18 mm×15 mm×3.5 mm,仅为原电路的1/3且增益和遥测电压性能指标进一步提升。
- 王乔楠张辛迪
- 关键词：小型化单片微波集成电路
- 可调集成立体电感及LC滤波器
- 本实用新型提供了一种可调集成立体电感及LC滤波器，该可调集成立体电感应用于电子元件技术领域，包括：所述可调集成立体电感集成于电路板，包括：集成设置在所述电路板上的基础电感、微调电感和可调线段；所述微调电感通过所述可调线段...
- 杨亮张韶华厉建国林立涵王磊梁毅王乔楠
- 文献传递
- E-PHEMT微波宽带放大器的静电防护电路设计被引量：1
- 2014年
- 为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并研制出实物样品.通过试验对比放大器改进前后的电性能和抗静电能力,其结果表明:改进后样品的微波特性满足规范要求、抗静电能力由500V提高到2 000V.该设计方法和思路在保障放大器电特性的基础上,提升了放大器的抗静电能力.
- 王乔楠付丽欣
- 关键词：宽带放大器静电放电PIN二极管
- 一种气密封装器件
- 本实用新型公开了一种气密封装器件，气密封装器件包括：下封装结构包括第一陶瓷基板，第一陶瓷基板设有第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；第一芯片，设置在第一陶瓷基板上，第一芯片的焊盘与第一金属柱相连；中间封装结构，设置...
- 李仕俊王乔楠王磊魏少伟徐达常青松王朋王占利许景通陈茂林周泽
- 文献传递
- 三维堆叠电路结构及其制备方法
- 本发明提供了一种三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，电路基板上设有第一过孔构件，封装底板上设有第二过孔构件，相邻电路基板之间设有第一焊球，第一过孔构件之间通过第一焊球导电连接，底层电路基板上的第一过孔构件与...
- 徐达要志宏罗建赵瑞华魏少伟王乔楠魏爱新秦立峰李秀琴张红梅赵晨安胡欣媛
- 基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器
- 本申请提供一种基于硅基PIN二极管的PIN限幅器的制备方法及PIN限幅器，该方法包括：在硅晶圆衬底制备多级PN结，得到N+层、多个P+层和多个I层区域；在每个P+层的上表面制备上电极；在N+层的下表面制备下电极；在N+层...
- 邓世雄高长征罗建陈书宾李亮吴波王生明孙计永孙一航王磊宋学峰周彪王乔楠孔伟东王二超
- 单片可重构砷化镓低噪声放大器
- 本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓...
- 周全陈南庭邓世雄陈书宾要志宏王磊王乔楠陈然张路洋武康郭尧张慧芳
- 一种三维压差式MEMS矢量水听器及制备方法
- 本发明提供了一种三维压差式MEMS矢量水听器及制备方法，属于MEMS技术水声通信传感技术领域，包括陶瓷管壳，定义上端面、下端面以及外侧面均为第一安装面，定义棱边面为第二安装面；第一安装面上安装有ASIC芯片，ASIC芯片...
- 邹志辉钱丽勋周彪徐佳马文涛李海剑焦帅郭松林王胜福李丰王乔楠赵晨安冯涛张延青
- 硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种硅基PIN二极管平面化制备方法及硅基PIN二极管，该方法包括：在硅晶圆衬底的上表面进行P+掺杂，形成第一预设直径的P+层；在硅晶圆衬底的下表面进行N+掺杂，形成N+层；对I层进行刻蚀...
- 邓世雄高长征罗建陈书宾李亮吴波王生明孙计永孙一航王磊宋学峰周彪王乔楠孔伟东王二超
