潘宏菽
- 作品数：87 被引量：58H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法
- 本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：...
- 霍玉柱潘宏菽商庆杰齐国虎
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- 一种无损腐蚀碳化硅的方法
- 本发明公开了一种无损腐蚀碳化硅的方法。它应用于碳化硅(SiC)器件工艺制作领域。这种方法与通常SiC器件制作过程中使用的干法刻蚀和湿法腐蚀都不相同，它是通过对SiC晶片的选择性氧化来形成器件需要的形貌。由于不会引入干法刻...
- 潘宏菽李亮
- 文献传递
- SiC MESFET工艺技术研究与器件研制被引量：9
- 2009年
- 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1mA下击穿电压达到了65V,40V下反向漏电流为20μA。为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiC MESFET具有195mA/mm的饱和电流密度,-15V的夹断电压。初步测试该器件有一定的微波特性,2GHz下测试其最大输出功率为30dBm,增益大于5dB。
- 商庆杰潘宏菽陈昊霍玉柱杨霏默江辉冯震
- 关键词：碳化硅金属-半导体场效应晶体管干法刻蚀
- 瓦级输出功率的4H-SiC MESFET研制
- 本文采用国产4H-SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W、功率增益6.5dB的功率SiC MESFET,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.
- 潘宏菽李亮王同祥
- 关键词：碳化硅微波功率晶体管
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- 小体积、低重量、高性能的SiC微波功率器件
- 利用国产SiC外延材料和自主开发的SiC器件工艺加工技术,实现了SiC微波功率器件在S波段连续波功率输出大于10W,功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35％的性能样管,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益...
- 陈昊潘宏菽杨霏霍玉柱商庆杰齐国虎刘志平
- 双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1
- 2014年
- 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。
- 霍彩红潘宏菽刘相伍程春红
- 关键词：非均匀性
- SIC MESFET微波功率测试技术
- 本文对SICMESFET的微波测试技术进行了分析,针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GAASMESFET的测试技术,建立了SICMESFET的微波测试系统,完成了2GHZ工作频率下瓦级功率...
- 王同祥潘宏菽李亮
- 关键词：微波功率输出功率
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- 4H-SiC SBD和JBS退火研究被引量：4
- 2009年
- 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
- 闫锐杨霏陈昊彭明明潘宏菽
- 关键词：4H-SIC肖特基势垒二极管退火
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- S波段系列SiC MESFET器件研制被引量：8
- 2008年
- SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应用背景，研制出总栅宽分别为1、5、15、20mm系列SiCMESFET样管。在2GHz脉冲状态下，300μs脉宽、10％占空比、20mm栅宽器件单胞输出功率超过80W，功率密度大于4W／mm；15mm栅宽器件在3．1～3．4GHZ频带脉冲功率输出超过30W。该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础。
- 李亮潘宏菽默江辉陈昊冯震杨克武蔡树军
- 关键词：碳化硅S波段功率器件金属-半导体场效应晶体管功率密度
