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毛凌锋

作品数:37 被引量:30H指数:3
供职机构:苏州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

文献类型

  • 30篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 33篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇氧化层
  • 5篇隧穿
  • 5篇晶体管
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇直接隧穿
  • 4篇薄栅
  • 4篇FN振荡电流
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇SILC
  • 3篇MOS结构
  • 3篇超薄
  • 3篇超薄栅
  • 3篇存储器
  • 3篇ULTRAT...
  • 2篇调制
  • 2篇调制类型

机构

  • 18篇北京大学
  • 18篇苏州大学
  • 1篇宿迁学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇飞索半导体

作者

  • 37篇毛凌锋
  • 17篇许铭真
  • 17篇谭长华
  • 9篇王子欧
  • 8篇卫建林
  • 6篇霍宗亮
  • 6篇朱灿焰
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  • 4篇季爱明
  • 4篇张立军
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传媒

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  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2018
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  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 6篇2003
  • 2篇2002
  • 8篇2001
  • 2篇2000
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
A Method to Separate Effects of Oxide-Trapped Charge and Interface-Trapped Charge on Threshold Voltage in pMOSFETs Under Hot-Carrier Stress
2003年
A simple new method based on the measurement of charge pumping technique is proposed to separate and quantify experimentally the effects of oxide-trapped charges and interface-trapped charges on threshold voltage degradation in p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (pMOSFETs) under hot-carrier stress.Further,the experimental results verify the validness of this method.It is shown that,all three mechanisms of electron trapping effect,hole trapping effect and interface trap generation play important roles in p-channel MOSFETs degradation.It is noted that interface-trapped charge is still the dominant mechanism for hot-carrier-induced degradation in p-channel MOSFETs,while a significant contribution of oxide-trapped charge to threshold voltage is demonstrated and quantified.
杨国勇王金延霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真
有限尺度效应对纳米石墨烯条带晶体管中栅漏电流的影响
有限尺度效应改变纳米石墨烯条带晶体管的沟道电子分布。这种效应特别凸现在当石墨烯条带的尺度在几个纳米的时候。由此这个效应导致纳米石墨烯条带晶体管中出现更多的高能电子。这将导致纳米石墨烯条带晶体管存在大的栅漏电流。数值计算表...
毛凌锋
关键词:栅氧化层
文献传递
表面粗糙对石墨烯场效应晶体管电流的影响被引量:2
2012年
建立了单栅石墨烯场效应晶体管处于栅氧化层界面平整时的电流模型,在此基础上分析氧化层界面粗糙度对源漏电流的影响.研究表明:粗糙界面会导致源漏电流有所下降;且粗糙度越大,源漏电流下降越多.
陈智王子欧李亦清李有忠毛凌锋
关键词:石墨烯场效应晶体管电流
Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响被引量:1
2008年
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响。
李海霞毛凌锋
关键词:速度过冲
一种基于图像处理的双目视觉校准方法被引量:7
2015年
双目视觉是利用机器视觉进行障碍物检测的研究热点。针对双目视频不同步,导致立体匹配不精准的问题,提出了一种基于图像处理的双目校准算法。算法首先根据道路的先验特征模型,建立视觉校准的敏感区域,以减小计算量。然后对图像的灰度进行聚类,并通过边缘检测和形态学处理来检测道路中的目标物,从而确定动目标与固定物的距离,搜索同步视频帧,实现双目校准。室外真实场景的实验结果表明,该算法可以较好地校准双目视觉,从而使立体匹配更精准。
戴玉艳朱灿焰季爱明毛凌锋
关键词:双目视觉图像处理聚类算法校准方法
Multi-Defect Generation Behavior in Ultra Thin Oxide Under DT Stresses
2003年
The saturation behavior of stress current is studied.The three types of precursor sites for trap generation are also introduced by fitting method based on first order rate equation.A further investigation by statistics experiments shows that there are definite relationships among time constant of trap generation,the time to breakdown,and stress voltage.It also means that the time constant of trap generation can be used to predict oxide lifetime.This method is faster for TDDB study compared with usual breakdown experiments.
霍宗亮毛凌锋谭长华许铭真
关键词:DEFECT
利用FN振荡电流测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度被引量:3
2000年
给出了一种利用 FN振荡电流的极值测量超薄栅 MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系 .这种方法的最大优点是精确和简便 。
毛凌锋谭长华许铭真卫建林
关键词:MOS结构FN振荡电流超薄栅
Au线键合中“塌线”问题的研究
2010年
目前,在半导体闪存多芯片的金线键合工艺中,为满足堆叠芯片不断增加等结构需要,键合线弧要求更低、更长,制造工艺变得相对更加复杂。针对生产过程中常遇到的"塌线"问题,通过对金线键合工艺中线弧形成动作的过程分析,以金线"弹动"现象为线索,探究了生产过程中"塌线"问题产生的原因,并给出了相应解决方案。经过此研究,长线键合的生产工艺能力得到加强,其成果对新封装产品的研发及基板设计具有有益的参考价值。
陆麟毛凌锋
关键词:半导体闪存叠层封装
SILC Mechanism in Degraded Gate Oxide of Different Thickness
2001年
It is shown that traps are generated asymmetrically in the thin gate oxides with different thickness during high field degradation,as well as the multi-mechanism plays role in the Stress Induced Leakage Current (SILC).These factors perform differently in gate oxide of different thickness.A comparison is drew between several analyzing models.Trap assisted tunneling is preferred for thinner samples,while Pool-Frankel like mechanism or thermal emission mechanism should apply to the thick ones.
王子欧卫建林毛凌锋许铭真谭长华
关键词:SILC
深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响被引量:1
2011年
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,因此,在小尺寸器件中,必须考虑氧空位对栅漏电流的影响。但当厚度在特定值及特定电场下时,单个氧空位引起的栅漏电流增加可以忽略。
李海霞毛凌锋查根龙
关键词:氧空位深亚微米器件
共4页<1234>
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