樊瑞新
- 作品数：41 被引量：97H指数：6
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
- 文献传递
- 一种硅片的硼铝共吸杂方法
- 本发明公开了一种硅片的铝硼共吸杂的方法，包括如下步骤：制备掺硼铝源，硅片清洗，利用丝网印刷或旋涂技术在硅片表面形成硼铝层，一步或多步退火，硅片表层去除。本发明利用了硼相对铝在硅中有较大固溶度的特点，在铝中掺入硼，利用铝和...
- 杨德仁顾鑫樊瑞新余学功
- 硅中氢杂质的研究被引量：1
- 2000年
- 介绍了硅中氢杂质的基本性质 ,氢杂质和氧原子的作用 ,以及氢原子对其它杂质和缺陷电学性能的影响 ,同时指出了目前研究中有待解决的问题。
- 樊瑞新杨德仁马向阳阙端麟
- 关键词：硅
- 高温快速热处理对硅中热施主的影响被引量：4
- 2003年
- 研究了不同气氛 (N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理 (RTP)对热施主形成和消除特性的影响 .研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响 .扩展电阻的分析结果表明 ,热施主在硅片纵向的分布是均匀的 .根据高温RTP后硅片的空位特征 ,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响 .同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响 ,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过 6 5 0℃退火即可消除 ,和普通的热施主消除特性相同 .而N2 气氛下高温RTP的样品 ,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在 ,经 95 0℃退火才能彻底消除 ,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散 ,在后续热处理中形成氮氧复合体浅施主中心所致 .
- 裴艳丽杨德仁马向阳樊瑞新阙端麟
- 关键词：硅
- 超高分子量聚乙烯的冲蚀磨损被引量：6
- 1998年
- 用气流喷砂到冲依试验装置测试了超高分子量聚乙烯（UltraHighMolecularWeightPolyethylen）的冲蚀磨损佳能．考察了冲蚀粒子的入射角、速度、粒子的硬度对冲蚀磨损的影响．用扫描电子显微镜观察冲蚀后报表面形统指出：在高角冲蚀时，摩根机理主要为塑性变形和显微裂纹；在低角冲蚀时，磨损机理主要为显微切削和显微犁耕．冲蚀磨损机理与冲蚀粒子有关．
- 王乙潜黄立萍樊瑞新郦剑
- 关键词：超高分子量聚乙烯冲蚀磨损
- 纳米Si-SiO_x薄膜的发光被引量：1
- 1998年
- 本文阐述了纳米硅－氧化硅光致发光的意义和机理，还分别介绍了目前各种用于制备纳米硅－氧化硅的方法和研究现状，最后讨论了今后的发展趋势。
- 邓晓清张仕国樊瑞新
- 关键词：发光氧化硅纳米级
- 线切割单晶硅表面损伤的研究被引量：35
- 1999年
- 利用台阶仪、扫描电镜（ＳＥＭ）和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。
- 樊瑞新卢焕明
- 关键词：硅单晶硅
- 一种单端钢筋长度测量装置及方法
- 本发明公开了一种单端钢筋长度测量装置及方法。待测量钢筋一端插入到混凝土结构体内，超声波探头连接到待测量钢筋暴露在外的一端，超声波探头经时间测量模块和单片机连接；脉冲信号源产生高斯脉冲信号，单片机控制压控振荡器产生载波信号...
- 樊瑞新皇甫江涛齐本胜
- 文献传递
- 微氮硅单晶中新施主的形成特性被引量：1
- 1996年
- 借助于电学测量和低温（８Ｋ）红外分析技术，研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温４５０℃预退火能促进新施主生成，而高温１０５０℃预退火样品则同样没有新施主生成．
- 杨德仁樊瑞新李立本阙端麟
- 关键词：施主硅单晶
- 利用液相外延技术制作微型硅构件的方法
- 利用液相外延技术制作微型硅构件的方法,先将衬底硅片氧化,然后在氧化膜上开出所需构件形状的窗口,露出硅底层,将硅片浸入经硅饱和的金属熔体中,利用硅液相外延法在窗口上外延生长硅构件。由于外延构件与硅衬底电阻率的不同,通过化学...
- 季振国樊瑞新袁骏阙端麟
- 文献传递
