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梁桂荣

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇热氧化
  • 2篇可靠性
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇SIO
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇栅介质
  • 1篇碳化硅
  • 1篇N型
  • 1篇硅
  • 1篇6H-SIC
  • 1篇MOS电容

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇刘忠立
  • 3篇梁桂荣
  • 2篇高文钰
  • 2篇和致经
  • 1篇马红芝
  • 1篇梁秀琴
  • 1篇李国花
  • 1篇王姝睿
  • 1篇于芳
  • 1篇张永刚

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响被引量：1
1999年
实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶５）溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄ＳｉＯ２可靠性很有效；用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２（３∶１）溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之前增加比例为０．０５∶２∶５或１∶２∶５的ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液清洗和稀ＨＦ酸漂洗效果更好．另外，薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗液种类关系不大，电离辐射对薄栅介质击穿特性的影响不明显．
高文钰刘忠立和致经于芳梁桂荣李国花
关键词：硅二氧化硅热氧化可靠性
N型6H-SiCMOS电容的电学特性被引量：3
2001年
在可商业获得的 N型 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,制备 MOS电容 .详细测量并分析了 6 H- Si C MOS电容的电学特性 ,其有效电荷密度为 4.3× 10 1 0 cm- 2 ;Si C与 Si O2 之间的势垒高度估算为 2 .6 7e V;Si C热生长 Si O2 的本征击穿场强 (用累计失效率 5 0 %时的场强来计算 )为 12 .4MV/ cm ,已达到了制作器件的要求 .
王姝睿刘忠立梁桂荣梁秀芹马红芝
关键词：碳化硅MOS电容电学特性
硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响被引量：2
1999年
实验研究了硅表面清洗方式对７ｎｍ 热氧化ＳｉＯ２ 栅介质可靠性的影响．结果表明，稀ＨＦ酸漂洗后ＲＣＡ 清洗时降低ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）温度对提高栅介质可靠性有利，但仍不如用ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）或Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２ 清洗效果好．稀ＨＦ酸漂洗后用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２ 清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性。
高文钰刘忠立和致经张永刚梁秀琴梁桂荣
关键词：二氧化硅可靠性热氧化栅介质
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