林涛
- 作品数：31 被引量：19H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 非晶Ge纳米薄膜的光电性质研究
- Ⅳ族半导体硅(Si)和锗(Ge)是当今微电子研究领域的主干材料,近几年来,为了实现硅基光电集成,人们又对Si和Ge纳米结构材料,特别是Si和Ge量子点的制备和发光性质进行了大量的研究。在制备量子点材料时,一种有效的制备途...
- 李悰林涛李伟徐骏陈坤基
- 文献传递
- 脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究
- 在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3～1.62eV范围内变化，并且随...
- 喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 关键词：化合物半导体肖特基接触光电性能
- 文献传递
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
- 文献传递
- 纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究被引量：1
- 2008年
- 用溶胶-凝胶法制得了In2O3纳米颗粒与Eu3+共掺的SiO2薄膜.使用X-射线衍射证实体系中形成了In2O3纳米颗粒,其数密度可以通过改变铟的掺杂浓度来进行良好的控制.在薄膜的光致发光光谱中观察到Eu3+离子的5D0-7FJ(J=0-4)特征发射峰,In2O3纳米颗粒的掺入使Eu3+的光致发光得到显著增强.通过光致发光激发光谱的测量进一步研究了In2O3纳米颗粒对Eu3+的光致发光增强的机制.
- 林涛万能徐骏徐岭李伟陈坤基
- 关键词：稀土发光材料溶胶-凝胶法光致发光
- 基于聚类推荐的移动流媒体缓存优化技术研究
- 流媒体一直是互联网中的主流应用，长期以来占据着大量的网络流量比例，针对流媒体服务的优化一直是业界研究的热点问题之一。近年来，随着移动设备的普及、无线传输技术的进步，用户在视频服务方面有了更多的自由度:一方面，用户拥有了随...
- 林涛
- 关键词：计算机网络移动流媒体缓存机制
- 面向新型光电器件的硅基纳米材料的制备及特性研究
- 硅是构成当代微电子器件和太阳能电池最基本的材料。随着半导体技术的不断发展，半导体器件的特征尺寸也随之不断缩小，已经逐渐趋近了理论的“物理极限”;但是人类对体积更小、速度更快、功耗更低的信息工具的追求永无止境。在硅基半导体...
- 林涛
- 关键词：硅基纳米材料物理性质半导体光电器件
- SnO2纳米晶体的制备、结构与发光性质被引量：7
- 2009年
- 使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒,使用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和光吸收谱等方法分析与表征了SnO2纳米颗粒的结构和光学性能.实验中通过表面活性剂的加入来控制纳米颗粒的结晶与凝聚.XRD,TEM的结果表明,原始制备出的SnO2纳米颗粒的平均粒径小于4nm,为完好的晶体状态.纳米颗粒经过400—1000℃退火后晶粒尺寸进一步增大.光吸收谱表明,相对于体材料,纳米颗粒的禁带宽度展宽并随颗粒尺寸增大而红移.光致发光谱测试表明,不同温度下退火的SnO2纳米颗粒在350—750nm有较强的发光,研究表明这是来源于颗粒表面的氧空位缺陷发光.
- 林涛万能韩敏徐骏陈坤基
- 关键词：氧化锡表面活性剂光致发光
- 一种介电滤波薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO<Sub>2</Sub>膜或Si膜，第二、四、六层...
- 彭茹雯王展唐朝晖黄秀清王牧林涛胡安蒋树声冯端
- 文献传递
- 纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究
- 稀土掺杂硅基薄膜由于在未来的全光通讯,全光计算等方面有着诱人的应用前景以及便于与目前的半导体工艺相兼容等优势,近年来得到了广泛的重视和研究。同时,由于稀土掺杂具有发光效率高,发光波长多样,光色纯正,因而在可见光波段也有着...
- 林涛万能徐骏徐岭李伟陈坤基
- 关键词：光学性质共掺杂稀土掺杂二氧化硅薄膜
- 文献传递
- 脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究被引量：5
- 2012年
- 在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3-1.62 eV范围内变化,并且随着开启脉冲电位的增大,薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V（vs.SCE）时,制备的薄膜禁带宽度为1.53 eV,在可见光范围内光吸收系数均达到104cm^-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试,得到了薄膜电导率温度谱,发现室温下薄膜的电导率为10-6S.cm^-1。同时,在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触,由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58 eV。
- 喀哈尔.玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 关键词：肖特基接触
