李金良
- 作品数：9 被引量：16H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
- 1991年
- 本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
- 朱志文李金良计敏伍锋邓履清杨璠
- 关键词：光纤通信发光二极管金属化封装
- InGaAsP/InP到平面液相外延生长的若干问题
- 本文围绕着液相外延(LPE)工艺过程的重复性、均匀性,对InGaAsP/InP非平面波相外延生长的若干问题,如非平面衬底表面热损伤,外延生长浸润性差,沟槽塌边、变形,生长图形住置不合适,表面不光亮、不平整,晶体界面不光滑...
- 李金良刘骁王静波
- 关键词：INGAASP/INP外延片INP
- 文献传递
- 850nm超辐射发光二极管被引量：4
- 2004年
- 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器件的波长为852.8nm,光谱半宽为26nm,100mA工作电流下,管芯输出功率大于4.5mW,保偏光纤输出功率大于200μW。
- 廖柯刘刚明周勇方荇李金良
- 关键词：超辐射发光二极管保偏光纤光纤陀螺波导模式
- １．３μｍ低电流超辐射发光二极管组件
- 李金良朱志文
- 关键词：低电流超辐射发光二极管
- 文献传递网络资源链接
- 1.3 μm InGaAsP低电流超辐射发光二极管组件被引量：12
- 2001年
- 设计并制作了用于高精度光纤陀螺的 1.3μm低电流超辐射发光二极管组件。采用隐埋异质结结构 ,实现了良好的电流限制和光限制 ,同时采用长腔结构来提高器件单程增益 ,从而获得了高的输出功率。组件具有工作电流小、输出功率高 ,以及光谱特性好等特点。测试结果表明 ,在 70mA工作电流下 ,组件尾纤输出功率大于 0 .1mW ,光谱宽度大于 30nm。
- 李金良朱志文
- 关键词：超辐射发光二极管光纤陀螺INGAASP组件
- 1.55μm超辐射发光二极管组件
- 超辐射发光二极管(SLD)由于具有输出功率高,光谱宽度高,稳定性好,相干长度短等特点,是光纤陀螺的理想光源.1.55μm超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对...
- 李金良朱志文
- 关键词：超辐射发光二极管光纤陀螺光有源器件
- 文献传递
- 1.55 μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管组件被引量：3
- 2002年
- 1 .5 5 μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源。组件采用标准 14针双列直插式管壳 ,熊猫型保偏光纤对准耦合 ,激光焊接 ,全金属化耦合封装。为了获得高输出功率 ,宽发射光谱 ,抑制受激振荡 ,采用了倾斜条形波导结构。组件尾纤输出功率大于 0 .1mW ,光谱宽度大于 15nm ,工作电流小于 15 0mA。
- 李金良朱志文
- 关键词：光纤陀螺光源超辐射发光二极管
- 化合物半导体材料制片技术探讨
- 1989年
- 本文主要探讨化合物半导体材料磨片、抛光工艺中与表面质量有光的因素,并对一些不利因素提出了改进措施。
- 李金良
- 关键词：化合物半导体制片技术
- 1.55μm超辐射发光二极管组件
- 超辐射发光二极管(SLD)由于具有输出功率高,光谱宽度宽,稳定性好,相干长度短等特点,是光纤陀螺的理想光源.1.55μm超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对...
- 李金良朱志文
- 关键词：发光二极管保偏光纤SLD光纤陀螺
- 文献传递
