李萍
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 闭管扩散Zn对InP表面性质的影响
- 2006年
- 利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响.
- 吕衍秋庄春泉黄杨程李萍龚海梅
- 关键词：二次离子质谱光致发光
- InGaAs/InP光电探测器被引量：7
- 2004年
- InGaAs光电探测器被广泛地应用于光纤通讯领域,由于其特有的优点,国外已应用于空间遥感领域。本文简要介绍了InGaAs/InP的物理特性、PIN光电探测器结构和主要性能指标,讨论了研制InGaAs/InP空间遥感用光电探测器的意义。
- 李萍
- 关键词：光电探测器光纤通讯PIN物理特性空间遥感
- Au/n-InP接触的热反应特性
- 研究了离子束溅射制备的Au/n-InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后,比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性质。...
- 李萍陆胜天张燕龚海梅
- 关键词：AESXPS比接触电阻
- 文献传递
- Au／n-InP接触的热反应特性被引量：1
- 2005年
- 研究了离子束溅射制备的Au／n—InP欧姆接触在退火前后的界面特性。400℃10min退火后，比接触电阻比退火前降低了约两个数量级。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性质。实验结果表明在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面，退火后Au的价态升高，AuxIny合金中In的含量增加。退火后，在接触与n—InP的界面产生一个P聚集区，同时Au与InP反应生成Au2P3，金属-InP界面Au2P3的生成是比接触电阻降低的原因。
- 李萍陆胜天张燕龚海梅
- 关键词：AESXPS比接触电阻
- 碲镉汞红外探测器的分步式阳极氧化新方法研究
- 本文采用小电流腐蚀、脉冲电流钝化、恒压退火的分步式阳极氧化钝化新方法对碲镉汞红外探测器进行表面钝化,利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)对传统恒流方法和新方法生成的两种阳极氧化膜进行测试比较.结果表明,新方法生...
- 陆胜天李萍刘诗嘉朱龙源龚海梅
- 关键词：碲镉汞阳极氧化膜红外探测器表面钝化
- Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面研究被引量：1
- 2005年
- 研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性。在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×10-5Ω·cm2。利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触界面的冶金性质。实验结果表明,在室温下InP中的In就可以扩散到接触的表面,退火后可与Au形成合金。退火后,Zn的扩散可以在p-InP表面形成重掺杂层,从而降低接触势垒高度,减小势垒宽度,有助于欧姆接触的形成;在接触与p-InP的界面产生一个P聚集区,同时Au与InP反应生成Au2p3,其P的2p3/2电子的结合能约为129.2 eV。
- 李萍刘诗嘉陈江峰庄春泉黄杨程张燕龚海梅
- 关键词：俄歇电子能谱X射线光电子能谱欧姆接触
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
- 文献传递
- 铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
- 本发明公开了一种铟镓砷焦平面探测器的列阵微台面的制备方法，该方法先用Ar<Sup>+</Sup>离子干法刻蚀掉P型InP层，再用湿法化学腐蚀掉InGaAs吸收层，这样既可提高光敏面的图形保真度，又可减小InGaAs吸收层...
- 吕衍秋韩冰李萍庄春泉吴小利陈江峰龚海梅
- 文献传递
- Au/n-InP接触的热反应特性
- 本文研究了离子束溅射制备的Au/n-InP欧姆接触在退火前后的界面特性.400℃10min退火后,比接触电阻比退火前降低了约两个数量级.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了接触的表面和界面的冶金性...
- 李萍陆胜天张燕龚海梅
- 关键词：AESXPS比接触电阻离子束溅射退火
- InGaAs红外探测器低频噪声研究被引量：2
- 2004年
- 红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5～7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.
- 黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅
- 关键词：红外探测器低频噪声空间遥感
