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李荣荣

作品数:4 被引量:27H指数:2
供职机构:华北电力大学电气与电子工程学院更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇功率
  • 2篇SIC
  • 2篇MOSFET
  • 1篇电流
  • 1篇电流型整流器
  • 1篇电源
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇驱动电路设计
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲宽度
  • 1篇脉宽调制
  • 1篇脉宽调制整流...
  • 1篇节能控制
  • 1篇节能控制策略
  • 1篇静态特性
  • 1篇开关特性
  • 1篇控制策略
  • 1篇功率调节

机构

  • 4篇华北电力大学
  • 1篇国电南瑞科技...

作者

  • 4篇李荣荣
  • 4篇彭咏龙
  • 4篇李亚斌
  • 1篇李瑞珂
  • 1篇路智斌

传媒

  • 1篇电测与仪表
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电气传动
  • 1篇电网技术

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
电流型脉宽调制整流器节能控制策略被引量:2
2014年
为更好解决电流型整流器功率器件在硬开关过程中的功率损耗问题,提出了一种节能间接控制策略。由于当相电压正、负绝对值最大时,该相电流绝对值及开关损耗均达到最大,为降低设备的总损耗又能保证网侧电流的质量,采用三相功率管只在损耗较小的2/3个周期内两两循环导通的控制策略,该方法在极大程度降低功率器件损耗的同时也减小了功率管的开关次数,延长了器件的使用寿命,适合于大功率应用场合。仿真和实验结果表明,所提出的控制策略能有效减少器件的功率损耗和降低开关频率,具有工程应用前景。
李亚斌彭咏龙朱劲波李荣荣
关键词:电流型整流器节能控制脉冲宽度
大功率SiC MOSFET驱动电路设计被引量:20
2015年
在实际工程应用的基础上,针对50k W/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。
彭咏龙李荣荣李亚斌
关键词:SICMOSFET开关特性驱动电路
基于PSpice的SiC MOSFET的关键参数建模被引量:4
2015年
分析研究了SiC金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)各参数与其动、静态特性的内在关系,提出了一种基于PSpice的SiC MOSFET建模新方法。通过引入电压控制电压源对栅极阈值电压进行补偿修正,采用两种不同的结电容模型描述各端电压不同而带来的结电容的变化,并同时增加了MOSFET的漏源电阻、栅极电阻随温度变化的变温度子模型。新模型可全面准确反映SiC MOSFET的动、静态特性,为SiC MOSFET的开关过程分析、损耗计算及主电路设计提供了重要依据。
彭咏龙李荣荣李亚斌
基于HPDM的感应加热电源功率调节技术被引量:1
2013年
提出一种新的混合脉冲密度调制的方法来调节感应加热电源的输出功率,详细分析了混合脉冲密度调制技术的原理和控制策略,并与已有的脉冲密度调制方法进行对比,证明这种方法控制脉冲分布均匀,输出电流平稳、连续,控制简单,还实现了控制方法的模块化设计,可通过增减基本控制模块来灵活改变输出功率的级数,提高了控制方法的灵活性。
彭咏龙李荣荣李亚斌路智斌李瑞珂
关键词:感应加热电源功率调节
共1页<1>
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