李昭宁
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响被引量：9
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。
- 席彩萍王六定王小冬李昭宁
- 关键词：多壁碳纳米管沉积温度PECVD
- 锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能被引量：2
- 2011年
- 运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命.
- 王益军王六定杨敏严诚王小冬席彩萍李昭宁
- 关键词：密度泛函理论
- 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究
- 2011年
- 本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响。结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或p型半导体。纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响。
- 李昭宁王六定王小冬席彩萍沈中元赵景辉吴宏景
- 关键词：化学掺杂石墨纳米带第一性原理
- 双层非等宽Armchair石墨纳米带的电子性质研究
- 2013年
- 制备所得的多层石墨纳米带各层可能具有不同的带宽。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了非等宽双层Armchair石墨纳米带的电子性质。计算了体系总能和能隙随层间距的变换关系，并从静电势、前沿分子轨道布据等方面分析了该变化的物理机制。研究表明：体系的总能、能隙和电子态密度显著依赖于石墨纳米带的带宽、层间距和堆叠方式等；该双层体系的最佳层间距为0．328nm，而该体系能隙最小时的层间距为0．260nm，两者并不一致。
- 李昭宁
- 关键词：电子结构石墨纳米带第一性原理
- 真空及大气下激光对复合材料的烧蚀试验对比被引量：4
- 2016年
- 激光与物质相互作用受到环境因素的影响。为了研究真空及大气环境下激光对复合材料的烧蚀模式和烧蚀规律,开展了激光辐照碳纤维复合材料对比试验。在不同辐照能量水平下,研究了两种环境中激光对复合材料的烧蚀特征,获得了复合材料瞬态温度响应数据,并对烧蚀样品进行了显微观测。试验结果表明,环境因素的影响与入射激光能量水平紧密相关。在低辐照能量水平下,复合材料表面烧蚀形貌具有差异,但瞬态热响应非常接近。在较高辐照能量水平下,复合材料烧蚀形貌差异较大:在真空环境下复合材料的环氧树脂发生热解和挥发,碳纤维束发生脱层;在大气环境下复合材料的环氧树脂发生明显的氧化反应,碳纤维束轻微脱层。最后,结合样品显微观测结果,分析了真空及大气环境下激光对复合材料烧蚀模式差异的原因,为建立激光烧蚀理论模型提供了参考。
- 张家雷王伟平李昭宁
- 关键词：激光烧蚀真空碳纤维复合材料
- 催化剂膜厚对碳纳米管薄膜生长的影响被引量：4
- 2011年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以Ni为催化剂,在Si基底上沉积出定向性良好的碳纳米管。用扫描电镜表征了催化剂颗粒大小和相应的碳纳米管形貌。深入研究了催化剂膜厚对碳纳米管生长的影响。结果表明:不同厚度的催化剂薄膜经刻蚀形成的颗粒密度、尺寸、分布等对碳纳米管的合成质量起主要作用。催化剂厚度≤5 nm时,形成的颗粒密度较小而且分布不均,制备的碳纳米管产量低、定向性差。催化剂厚度≥15 nm时,形成的颗粒较大,粘连在一起,生长时大部分被非晶碳包覆,几乎没有碳纳米管的生长。催化剂厚度为10 nm时,形成的颗粒密度大、分布较均,制备的碳纳米管纯度高、定向性好。
- 王小冬王六定席彩萍李昭宁赵景辉
- 关键词：碳纳米管催化剂膜厚
- Fe掺杂CdTe电磁性质的第一性原理研究
- 2016年
- 使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Fe掺杂CdTe的晶格结构与电磁性质变化。研究发现,掺杂体系的晶格常数与电子结构等随掺杂Fe原子的位置不同而异。通过能带结构与电子态密度的分析表明,不同占据位的Fe原子表现出迥异的电子能级分布、轨道杂化等,从而引起体系电子性质与原子磁矩的显著变化。其中,替代位与间隙位Fe杂质的原子磁矩分别为3.76和3.14玻尔磁子。这一研究对深入理解掺杂CdTe类稀磁半导体的物理性质有重要意义。
- 李昭宁赵新才王伟平
- 关键词：碲化镉铁掺杂第一性原理
