李扬权
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 脉冲激光沉积法制备Pt薄膜的研究
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°。原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm。四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1.962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求。
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- 关键词：电学性能表面形貌蓝宝石衬底
- 脉冲激光沉积制备外延Ni_(0.8)Zn_(0.2)Fe_2O_4薄膜的应变与磁性能研究
- 2010年
- 用脉冲激光沉积设备,分别在SrTiO3(001)(STO)和MgO(001)基片上外延生长了单层Ni0.8Zn0.2Fe2O4(NZF)薄膜。经X射线衍射分析,在STO和MgO基片上制备的NZF薄膜均为单一c取向的外延薄膜,由PHI扫描可知薄膜均为四重对称结构。由NZF薄膜的倒易空间图可以计算得到在STO和MgO基片上应变分别为0.0704和-0.0124。分别对不同基片上的NZF薄膜进行磁强计测量可得,在STO基片上沉积的NZF薄膜的面内和面外饱和磁化强度分别为269.6和224.78 emu/cm3,面内和面外的矫顽场分别为2.68×104和4.78×104A/m,在MgO基片上沉积的NZF薄膜的面内和面外饱和磁化强度分别为219.11和180.75 emu/cm3,面内和面外的矫顽场分别为3.46×104和5.32×104A/m。
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- 关键词：脉冲激光沉积饱和磁化强度矫顽场
- Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/Ni0.8Zn0.2Fe2O4复合磁电薄膜结构与性能的研究
- 铁电/铁磁复合磁电材料是由铁电相和铁磁相的材料复合在一起，并同时具有铁电性和铁磁性，因铁电相与铁磁相之间的界面耦合作用而具有磁电效应。利用磁电效应可以制作多种新型器件，如磁场传感器、电流传感器、变压器、回旋器、移相器、谐...
- 李扬权
- 关键词：PLD法铁磁性能
- 文献传递
- PLD制备外延Ni0.8Zn0.2Fe2O4薄膜的应变与磁性能研究
- 尖晶石NiZn铁氧体具有电阻率高、损耗低、使用频率宽和频率高等优点,是一种十分重要的高频软磁铁氧体材料,广泛的应用于通信、电源、计算机和各种电子产品等领域。随着21世纪信息技术的和电子产品数字化的发展,对软磁铁氧体和元件...
- 李扬权朱俊罗文博
- 文献传递
