成彩晶
- 作品数：20 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- 背入射AlGaN p-i-n太阳光盲紫外探测器的研制
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器。器件的截止波长为290nm,在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率为9%。研究了器...
- 成彩晶
- 关键词：外量子效率探测率
- 文献传递
- 长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触
- 2005年
- 碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触电阻率分别为3.25×10-4?·cm2、8.95×10-4?·cm2。
- 赵鸿燕鲁正雄赵岚成彩晶
- 关键词：碲镉汞材料欧姆接触光伏长波HGCDTE材料接触电阻率
- 碲铟汞光电探测器
- 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳...
- 孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
- 文献传递
- 背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。
- 丁嘉欣成彩晶张向锋张晓兵鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：ALGAN探测器
- 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片及其制造方法
- 一种锑化铟红外焦平面阵列探测器芯片，其包括减反膜[6]、低温胶[7]、锑化铟光敏阵列[8]、硅读出电路[9]、铟柱[10]、锑化铟衬底[11]。其中，所述锑化铟光敏阵列[8]背面设置有减反膜[6]，其正面设置有铟柱[10...
- 成彩晶吴伟付月秋曹光明张向锋李明华
- 一种制备Au/n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N横向肖特基二极管的方法
- 2006年
- 用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ。器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W。
- 成彩晶鲁正雄司俊杰赵鸿燕赵岚丁嘉欣孙维国陈志忠张国义
- 关键词：MSM势垒高度光谱响应
- 背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器被引量：1
- 2008年
- 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.
- 成彩晶丁嘉欣张向锋赵鸿燕鲁正雄司俊杰孙维国桑立雯张国义
- 关键词：外量子效率探测率
- AlGaN MSM紫外探测器被引量：7
- 2006年
- 用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0．3Ga0．7N制备了金属-半导体-金属 (MSM)结构紫外探测器。器件在2．5V偏压时的暗电流为1pA,在6．5V偏压时的暗电流为1nA．在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A／W,在300nm 波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0．3时截止波长为 300nm相一致。
- 成彩晶鲁正雄司俊杰陈志忠张国义孙维国
- 关键词：MSM暗电流光谱响应
- 碲铟汞光电探测器
- 本发明属于光电子技术领域，涉及一种碲铟汞光电探测器，包括碲铟汞晶片，在碲铟汞晶片的正面生长有钝化保护层，在钝化保护层上设有一对形状对应的刻槽，刻槽贯透钝化保护层，在两刻槽内碲铟汞晶体的表面生长有一层阳极氧化层，在刻槽内阳...
- 孙维国鲁正雄张亮赵岚成彩晶赵鸿燕
- 文献传递
- 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
- 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
- 张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
