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张栋

作品数:23 被引量:53H指数:4
供职机构:聊城大学物理科学与信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇发光
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 5篇光学
  • 5篇ZNO薄膜
  • 4篇透射
  • 4篇透射谱
  • 3篇性能研究
  • 3篇折射率
  • 3篇温度
  • 3篇晶体
  • 3篇激光分子束外...
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇TIO2薄膜
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇生长温度
  • 2篇基片
  • 2篇基片温度

机构

  • 21篇聊城大学
  • 3篇东南大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇海南师范大学

作者

  • 21篇张栋
  • 12篇王长征
  • 9篇史强
  • 8篇张丙元
  • 7篇高学喜
  • 7篇王文军
  • 6篇刘云龙
  • 6篇李淑红
  • 5篇邢晓
  • 3篇何英
  • 3篇张培明
  • 3篇张一清
  • 2篇肖效光
  • 2篇黄宝旭
  • 1篇徐东然
  • 1篇田振
  • 1篇张洪方
  • 1篇杨冰
  • 1篇张俊英
  • 1篇孙丽

传媒

  • 5篇广西师范学院...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第10届全国...
  • 1篇中国光学学会...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
煅烧温度对TiO_2粉体的微观结构及光催化特性的影响被引量:1
2011年
以钛酸丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备TiO2粉体。利用X射线衍射谱、拉曼光谱、红外光谱、扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计分别研究煅烧温度对TiO2粉体的微观结构、颗粒形貌与紫外光光催化性能的影响。实验结果表明:随着煅烧温度的升高,TiO2粉体发生了锐钛矿到金红石结构的相变,相变温度大约在623K^673K,且等轴状颗粒的尺寸逐渐增加。同时发现锐钛矿结构的TiO2粉体对甲基橙的紫外光光催化活性最高,而无定形及金红石结构不利于粉体的紫外光光催化活性。
赵伟伟张一清张栋史强黄宝旭王长征
关键词:TIO2粉体溶胶-凝胶法微观结构光催化特性
微米、亚微米尺寸矩形单元阵列薄膜中铁磁共振线宽的研究
由于图形薄膜在磁传感器和磁存储器件,尤其是自旋转移矩纳米振荡器方面具有广泛的应用,受到了人们广泛的关注[1,2].阻尼因子的调控是改善器件性能的重要手段,由于图形薄膜的非均匀磁化导致图形薄膜和连续薄膜之间存在较大的差别,...
张栋岳金金寇朝霞翟亚翟宏如
激光分子束外延ZnO薄膜的缺陷发光研究被引量:1
2010年
利用激光分子束外延方法在温度为573 K的单晶硅(100)衬底上制备了不同氧压条件下的氧化锌薄膜,对其结构和光学特性进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有很好的C轴择优取向.在氧压为1 Pa时,薄膜紫外发光最强,半高宽最窄(101 meV).变温发光光谱表明:当温度从80 K升至室温时,制备氧压为1 Pa的薄膜未发现可见光发射;而制备氧压为30 Pa的薄膜随着测量温度的降低,出现了可见光发射,并且随着测量温度的降低,与氧空位、氧占位和氧替锌位相关的缺陷发光峰出现红移,而与氧替锌位发光峰相近的锌位缺陷发光峰出现蓝移.
李兰英张栋王长征
关键词:激光分子束外延ZNO薄膜光致发光
基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
2009年
采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si(100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm^475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.
何英王长征张培明张栋
关键词:ZNO薄膜磁控溅射基片温度光致发光
退火及超声处理对ZnO薄膜结构和发光特性的影响被引量:4
2007年
利用对向靶射频磁控溅射系统在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,并对其进行了退火和超声处理。采用XRD,AFM和光致发光谱对其结构、表面形貌和性能进行了分析。结果表明:沉积态ZnO薄膜(002)择优取向稍差,尺寸较小,表面粗糙度较大。随退火温度的升高,颗粒粒径增大,样品的取向性和结晶度都明显变好,应力状态由压应力转变为张应力,粗糙度降低。超声处理缓解了薄膜中的张应力,晶粒尺寸更趋增大;用波长为280 nm的激发光激发薄膜时,沉积态薄膜无发光峰存在;随着退火温度升高,出现了一个378 nm的紫外峰和一个398 nm的紫峰;紫外峰峰值强度随退火温度升高不断增强,而紫峰的峰位随退火温度升高基本不发生变化,峰值强度增强;700℃退火后的薄膜经超声处理后,发光谱中出现了峰值波长为519 nm的绿色发光带。
徐东然肖效光王长征张一清张栋高学喜刘云龙
关键词:ZNO薄膜退火处理超声处理光致发光
生长温度对ZnO薄膜晶体质量和发光特性的影响被引量:2
2009年
采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200℃,300℃,400℃和500℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300℃时,ZnO具有最佳择优取向,随着衬底温度升高,衍射峰半峰全宽减小,薄膜晶粒尺寸增大,400℃时,薄膜具有各向等大的晶粒尺寸。同时拉曼谱结果显示,薄膜内部的缺陷随衬底温度变化无明显差别,应力表现为张应力,400℃时应力最小,紫外发光峰在衬底温度为400℃时最强,而黄绿光带最弱。在减少薄膜缺陷,提高择优长向和晶粒尺寸的同时,使晶粒横向尺寸和纵向尺寸尽可能相同,可极大提高薄膜的发光特性。
张栋王长征何英
关键词:薄膜光学ZNO薄膜光致发光谱衬底温度
单一基质白光LED用荧光粉的研究进展被引量:13
2011年
白光LED被称为第四代照明光源,具有广阔的应用前景。单一基质白光LED用荧光粉因其具有独特的优势而被广泛关注,研制单一基质白光LED用荧光粉具有十分重要的意义。详细介绍了目前国内外单一基质白光LED用荧光粉的研究进展,重点对硅酸盐、磷酸盐等几类单一基质白光LED用荧光粉的研究现状作了评述,指出了当前存在的问题,并展望了其发展前景。
史强张俊英张丙元王长征张栋
关键词:LED荧光粉
新型激光晶体材料的光学特性研究
张丙元王长征田振张栋王文军
该项目属于物理学。项目从发光材料的合成、光学器件的制备到光学系统的搭建,全方位对Nd:GdVO4、Nd:GYSGG、ZnO、ZnAl2O4:Mn、SrZrO3等晶体材料的光学特性以及二维材料的光学调制特性进行了理论模拟和...
关键词:
关键词:激光晶体材料光学特性
GD01-013LMBE制备TiO2薄膜的性能研究
采用激光分子束外延(LMBE)的方法在玻璃衬底上制备了二氧化钛薄膜,研究了制备温度和氧压对薄膜表面形貌、晶体结构和光学性能的影响。结果表明:二氧化钛薄膜的折射率随着温度的升高而增大,随着氧压的增大先增大后减小。薄膜在制备...
邢晓王文军李淑红刘云龙张栋史强高学喜张丙元
关键词:TIO2薄膜温度透射谱折射率
文献传递
提高有机发光二极管发光性能的阳极修饰方法被引量:2
2016年
通过在有机发光二极管(OLED)的阳极与空穴传输层NPB之间加入m-MTDATA作为缓冲层来研究缓冲层对器件性能的影响。制备了ITO/m-MTDATA(dnm)/NPB(40-dnm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)、ITO/MoO3(15nm)/NPB(25nm)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(40nm)结构的器件,研究不同m-MTDATA厚度对OLED发光亮度、电流密度、电流效率等性能的影响。实验发现,当缓冲层的厚度为15nm时,器件的启亮电压从未加缓冲层的13V降到了9V,最大发光亮度从未加缓冲层的5900cd/m2增加到16300cd/m2,是原来的2.76倍。最高的电流效率也由未加缓冲层的1.8cd/A变为3.5cd/A,是原来的1.94倍。然后在器件的氧化铟锡(ITO)与NPB之间插入了厚度为15nm的MoO3缓冲层。与同厚度的m-MTDATA器件相比,插入MoO3缓冲层器件的启亮电压降低为8V,最大亮度为13320cd/m2,最大电流密度为6030.74A/m2,最大的电流效率为3.06cd/A。
夏树针王文军杜倩倩李淑红张栋高学喜王青如张丙元
关键词:光学器件有机发光二极管缓冲层发光亮度电流效率
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