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电子束曝光中的邻近效应修正技术被引量：11: 2000年; 邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图形分层和大小电流混合曝光 ,对邻近效应进行了修正 ,均取得较好效果。; 刘明陈宝钦张建宏李友; 关键词：电子束曝光集成电路

一种增强光学掩模分辨率及制造高分辨率光学掩模的方法: 本发明公开了一种增强光学掩模分辨率的方法，在普通光学掩模的某些特定透光区域减少一层透明介质层，光波透过这层特殊介质的相位恰好与相邻透光区的透射光的相位相反，这两个区域的光，由原来的相加干涉变为了相消干涉，从而提高了光学掩...; 龙世兵刘明陈宝钦谢常青李友李新涛张建宏张卫红王冠亚谢文妞; 文献传递

可变矩形电子束曝光机的图形数据换: 本文介绍了几种常见的由集成电路计算机辅助设计(CAD)生成的图形数据格式,详细阐述了可变矩形电子束曝光机的图形数据JEOL51的转换过程.; 张建宏陈宝钦; 关键词：可变矩形电子束曝光机数据转换微细加工; 文献传递

用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法: 本发明提供一种采用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法。该方法将电子束曝光版图剖分为二部分，即精细图形和其它的大图形；将剖分后的大小版图图形按不同条件进行转换；用二个不同的路径编辑曝光文件；对剖分后的大小版图图...; 刘明叶甜春谢常青张建宏; 文献传递

用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法: 本发明提供一种采用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法。该方法，将电子束曝光版图剖分为二部分，即精细图形和其它的大图形；将剖分后的大小版图图形按不同条件进行转换；用二个不同的路径编辑曝光文件；对剖分后的大小版图...; 刘明叶甜春谢常青张建宏; 文献传递

一种通过版图设计灵活控制电子束光刻显影时间的方法: 本发明涉及范围是微细加工技术领域，特别是一种版图设计灵活控制电子束光刻显影时间的方法。曝光数据文件由正式曝光版图和测试版图组成；将测试版图在曝光过程中设计一组变剂量，显影时间可以根据测试版图的显影情况而灵活控制。在正式曝...; 陈杰智张建宏; 文献传递

纳米级电子束直写曝光的基础工艺研究: 刘明陈宝钦王云翔李友张建宏张卫红徐秋霞; 该项目进行了电子束抗蚀剂的性能和应用研究，包括单层和多层抗蚀剂技术，根据实际需要主要研究了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件；电子束曝光工艺、曝光定位精度与技术的研究，制作了高质量的套准标记...; 关键词：; 关键词：电子束光刻邻近效应校正

Nano-Level Electron Beam Lithography: 2003年; The JEOL JBX-5000LS is a vector type machine.The system hardware features an ion-pumped column,a LaB 6 electron emitter,25kV and 50kV accelerating voltage,and a turbo-pumped sample chamber.The resolution,stability,stitching and overlay of this system are evaluated.The system can write complex patterns at dimensions down to 30nm.The demonstrated overlay accuracy of this system is better than 40nm.; 刘明陈宝钦王云翔张建宏; 关键词：RESOLUTION

PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术被引量：1: 2002年; PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。; 王云翔刘明陈宝钦李友张建宏张卫红; 关键词：光学光刻技术

电子束光刻对准标记在芯片上的布局: 本发明提供了一种电子束光刻对准标记在芯片上的布局，所述芯片包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括所述芯片的中心，所述布局设置在所述第二区域，其包括，设置在所述第二区域的若干个对准标识符；相邻两个所述对...; 牛洁斌刘明陈宝钦谢常青龙世兵王冠亚张建宏李海亮史丽娜朱效立; 文献传递

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张建宏