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康祥喆

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电光
  • 2篇电光性能
  • 2篇铁电
  • 1篇电器件
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇集成光电器件
  • 1篇钾钠铌酸锶钡
  • 1篇胶凝
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇SBN

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇康祥喆
  • 1篇叶辉

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜电光性能的研究
为满足现代光通信、光信息处理等领域的需要,光电子器件正向着小型化、集成化发展。铁电铌酸锶钡(SBN)材料以其优良的介电、压电、热释电、电光以及光折变性能广泛地应用于电光调制器、热释电红外探测器、全息成像存储器等集成光电器...
康祥喆
关键词:电光性能溶胶凝胶集成光电器件
文献传递
铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究被引量:4
2006年
采用溶胶_凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性.实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51.成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为108.52pm/V,119.98pm/V,126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大.
康祥喆叶辉
关键词:钾钠铌酸锶钡
共1页<1>
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