常凯
- 作品数：19 被引量：35H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器被引量：2
- 1998年
- 本文报道我们率先研制出的３～５．３μｍＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能．该探测器具有光伏特征，７７Ｋ温度、±７Ｖ外偏压下的５００Ｋ黑体探测率达到约１．０×１０１０ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，并且，与１→２子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外（３～５．３μｍ）波段作适当调谐．运用平面波展开法，依据样品的阱、垒结构参数，计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ非对称台阶量子阱１→２子带间跃迁的Ｓｔａｒｋ效应。
- 吴文刚常凯江德生李月霞郑厚植
- 关键词：红外探测器
- 将硅和锗驱动到拓扑绝缘体相
- 绝缘体具有绝缘的体带和类金属的边缘态和表面态.其能带可以由Z2 拓扑不变量来刻画.我们从理论上证明了在这类体系中外电场控制自旋的可能性[1-5].在本报告中,我们研究了拓扑绝缘体中电子的动力学过程,提供了一个关于边缘态/...
- 张东常凯
- 关键词：TOPOLOGICALINSULATORPOLARIZATIONSPIN-ORBIT
- 常见半导体材料中拓扑绝缘体相的诱导
- 常凯
- 半导体极性界面电子结构的理论研究
- 2019年
- 半导体电子结构的有效调控一直是人们长期关注的科学问题,也是主流半导体材料物性与器件设计的核心科学问题之一.传统栅极技术只能在小范围内改变半导体材料的带隙,作者从理论上通过人工设计半导体极性界面,产生约10 MV/cm的內建电场,从而实现对Ge、InN等主流半导体带隙在0-2 eV范围内的有效调控,并显著增强Rashba自旋轨道耦合强度,作者进一步利用构建的多带k.p模型证明增强的Rashba自旋轨道耦合可以将常规半导体驱动至拓扑相.文章重点介绍极性半导体InN的极性界面能隙调控;以及Ⅳ族非极性半导体Ge的极性界面能带调控.半导体极性界面的制备与主流半导体工艺兼容,展现了极性界面在主流半导体量子结构的物性调控与光电器件中潜在的应用前景.
- 张东娄文凯常凯
- 关键词：自旋轨道耦合极化半导体
- 拓扑绝缘体电子态的电场调控被引量：2
- 2011年
- 文章简要介绍了对拓扑绝缘体性质的电场控制,主要包括三维拓扑绝缘体表面磁性的电场控制、电子在p-n结中的类光输运行为以及拓扑绝缘体量子点的特性.
- 常凯
- 关键词：拓扑绝缘体P-N结量子点
- Electronic and magneto-optical properties of monolayer phosphorene quantum dots
- 张锐常凯
- (Ga，Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象
- ＜正＞（Ga,Mn）As 是被人们研究得最为广泛的稀磁半导体材料,但是,并没有有力的实验证据来证明巨塞曼分裂的引入对它的能带结构的修正。迄今为止,在磁圆偏振光二向色性（MCD:Magnetic Circular Dich...
- 甘华东郑厚植刘江涛常凯姬扬刘剑孙宝权赵建华
- 关键词：磁性半导体
- 文献传递
- 拓扑绝缘体--自旋电子学新的实验平台
- 常凯
- 半导体纳米材料电子结构的理论研究
- 半导体纳米结构的物理性质已成为当前国际研究前沿的热门课题之一.该报告由6篇相关的研究论文组成,它们涉及了不同的半导体纳米结构的光学性质,预言了可能出现的物理现象及它们与半导体纳米结构尺寸、外场的关系.理论结果与实验测量在...
- 常凯
- 关键词：半导体纳米结构物理性质光学性质量子点电子结构
- 半导体纳米结构物理性质的理论研究
- 夏建白李树深常凯朱邦芬
- 该成果属信息科学学科。 1．首次提出了介观系统的一维量子波导理论，发展了二维量子波导理论。提出了一维介观系统中传导波函数的两个基本方程。它对于任意复杂的一维介观系统给出了一个非常直观、简单的物理了解以及解析的结果。发表后...
- 关键词：
- 关键词：半导体纳米结构物理性质介观系统量子点半导体超晶格物理
