崔硕景
- 作品数：24 被引量：51H指数：6
- 供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术天文地球电气工程更多>>
- 50kbar下合成NaCrSi[*v2*]O[*v6*]-NaAlSi[*v2*]O[*V6*]辉石体系晶胞参数 的研究
- 陈久华崔硕景阎学伟
- 关键词：辉石晶胞
- 用钇基混合稀土氧化物制备高Tc超导材料的研究
- 1989年
- 本文研究了用钇基混合稀土氧化物制备的材料的超导特性。电阻和直流磁化率与温度关系的测量表明。该体系在86K～92K呈现零电阻。混合稀土中轻稀土元素及非稀土杂质对Tc有较大的影响,但经过简单的化学处理,特别是经过轻、重稀土分段处理后,仍可以利用廉价的钇基混合稀土氧化物代替Y_2O_3制备出相同Tc的超导材料。
- 唐功本崔硕景阎学伟马贤锋陈久华师昌怀倪嘉缵
- 关键词：高TC超导材料电阻磁化率
- 单斜辉石固溶体CaMgSi_2O_6－NaAlSi_2O_6的临界相转变研究
- 1995年
- 对固溶体ＣａＭｇＳｉ＿２Ｏ＿６－ＮａＡｌＳｉ＿２Ｏ＿６相转变过程中的临界压力ｐ和临界温度Ｔ之间的关系进行了研究，得到ｐ与Ｔ之间为一线性关系：ｐ＝１．５４×１０￣（－２）Ｔ－１４．３（ＧＰａ）。另外，在临界条件下，对合成的单斜辉石的微观结构进行了ＳＥＭ观察，发现在较高的临界压力和临界温度下，样品晶粒粗壮、紧密，并且主要沿（００１）面生长成纤维状。控制一定的过冷却度使其在成核区停留一段时间之后升温到生长区，样品的ＳＥＭ观察结果显示与上述结论一致。
- 赵廷河崔硕景闫学伟马贤锋周艳平
- 关键词：单斜辉石固溶体相转变
- 预处理石墨对合成金刚石性能的影响被引量：4
- 1990年
- 本文介绍了对合成金刚石用石墨片进行预处理的方法。研究表明,用已处理过的石墨片可合成出粒度粗、强度高、完整单晶多的金刚石,金刚石中Ni,Mn,Co,Si 的含量明显减少,而氮的含量明显增加。并观察到触媒片两面都能均匀地生长理想的金刚石晶体。该预处理方法不仅提高金刚石的质量,而且有可能为认识石墨转化为金刚石的机理提供一些依据。
- 唐功本石风孙万明崔硕景师昌怀谢云芬王增林倪加缵
- 关键词：金刚石触媒预处理
- 钠铝辉石由非晶态到晶态的转化研究被引量：3
- 1994年
- 在3．0－5．0GPa，1150－1750℃，1－480min条件范围内，合成了钠铝辉石，通过XRD、SEM及IR分析对比研究了人工翡翠和天然翡翠的微观精细结构；通过DAT分析测定了人工翡翠与天然翡翠的熔点，淬火实验检验了人工翡翠的熔点，通过退火及老化实验研究了翡翠的热稳定性。同时还就人工翡翠和天然翡翠的硬度、密度及折射率等其它物化性质进行了比较研究。根据上述研究总结了合成优质钠铝辉石翡翠的最佳实验条件为压力＞4．0GPa，温度＞1450℃，晶化时间＞45min。
- 赵廷河崔硕景阎学伟
- 关键词：辉石高温
- 纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结被引量：22
- 1997年
- 用六面顶超高压在1.0－5.0GPa，25～1500℃条件下烧结激光法制备的纳米非晶Si3N4粉，有“冷烧结”特代表现为：在5GPa，室温下压制的块体密度达理论值的93％，这是高压下纳米粒子产生流变的结果当烧结温度较低（800～950℃）时，高压烧结体为棕色透明的致密（98％）纳米非晶块体；烧结温度较高（1300～1500℃）时，形成纯白色致密纳米晶Si3N4块体，硬度为15.53～1605GPa研究表明，超高压烧结纳米陶瓷粉可显著降低烧结温度，控制晶粒生长。
- 李亚利梁勇佟百运郑丰马贤峰崔硕景赵伟
- 关键词：纳米材料陶瓷材料非晶
- 大颗粒硼皮金刚石聚晶及其合成方法
- 大颗粒硼皮金刚石聚晶及其合成方法。;本发明为一种人造金刚石聚晶及其合成工艺。以适当比例的黄金刚石单晶、硅、镍、硼为原料，经表面加硼处理、加硅镍粘结剂处理，高温高压合成等过程而合成。这种超硬材料的磨耗比、耐热性能及化学惰性...
- 苏文辉吴代鸣千正男崔慧聪何岚鹰崔硕景李延臣
- 稀土焦绿石化合物Er-2Fe4/3W2/3O7的高温高压多形转变
- 1986年
- F.Basile和M.A.Subramanian等人在常压高温下合成出变形的焦绿石化合物Er_(2)Fe_(4/3)W_(2/3)O_(7),并用X射线粉末衍射法定出其结构属六方晶系。但对这种化合物的高温高压结构研究未见文献报导。我们在高压高温下进行了这种化合物的多形转变的研究。
- 千正男崔硕景王一峰苏文辉王德涌闫学伟杜有茹倪加缵
- 高压下聚苯胺高分子导电性的研究被引量：1
- 1987年
- 近年来有机聚合物导体的研究,普遍得到了世界各国的重视,目前对聚苯胺等大分子聚合物的分子结构尚未完全确定,有关担负输运电荷的载流子类型及其形成的原因等电学性质的研究,对进一步了解聚合物的分子结构,导电机理及发展导电性良好的新型高分子材料的应用,都有十分重要的意义。
- 许大鹏崔硕景苏文辉王佛松王生龙
- 关键词：电学性质新型高分子材料聚苯胺导电机理分子结构导电性
- 立方氮化硼的振动光谱及反射光谱的研究
- 1992年
- 将黑色、黄色、棕色三种小于50μm立方氮化硼粉末为样品,研究了其红外光谱、拉曼光谱、反射光谱,结果表明: (1)样品的红外光谱中,1818cm^(-1)和1548cm^(-1)属于cBN的晶格本征振动,而立方氮化硼的晶格本征振动外的晶体缺陷吸收则发生在～800cm^(-3),1580cm^(-1)～1740cm^(-1)和大于2400cm^(-1)处。 (2)拉曼光谱测试表明,在1052cm^(-1)和1304cm^(-1)附近出现的散射与cBN不具有反演中心及cBN具有立方结构这样的事实相一致,并且这种散射伴随着布里渊区中心声子的横向和纵向发射。144cm^(-1)附近出现的散射,被认为是由于局部振荡模式的出现,在反斯托克斯区造成的信号,这与晶格中杂质缺陷有关。 (3)依据得到的反射光谱,计算了cBN单晶禁带宽度,发现这三种cBN都具有大于金刚石的禁带宽度值,分别为:E_s(黑)=6.21eV,E_s(黄)=5.73eV,E_s(棕)=5.71eV。
- 刘立君闫学伟崔硕景牛伟赵廷河谢云芬朱艺兵师昌怀
- 关键词：立方氮化硼振动光谱反射光谱
