尹文艳
- 作品数：17 被引量：25H指数：3
- 供职机构：陕西师范大学化学化工学院陕西省大分子科学重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>
- 氧化铟金属铟纳米结构单元的制备与自组装
- 本文提出了一种新的氧化铟纳米结构单元的制备方法,即通过金属的热氧化反应在金属铟的表面生长氧化铟纳米结构的方法,如果不用催化剂在金属铟上可制备出氧化铟纳米片和八面体结构,若以金作催化剂可得到氧化铟纳米线、纳米锥和直立纳米针...
- 杨合情董红星尹文艳
- 关键词：氧化铟自组装
- 文献传递
- 氧化铟纳米结构的制备与控制
- 氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。自从王中林教授等 [1]首次发现 In_2O_3、ZnO 等氧化物纳米带以来,氧...
- 杨合情董红星尹文艳
- 关键词：氧化铟自组装
- CdSe纳米结构单元的制备与自组装被引量：3
- 2006年
- 纳米CdSe作为一种重要的半导体纳米材料,在发光二极管、生物标记、太阳能电池等领域有着广泛的应用。本文综述了CdSe纳米结构单元制备与自组装的最新研究进展。归纳出了6种有代表性的制备与组装方法,详细介绍了这些方法的原理以及采用这些方法制备的CdSe纳米结构。最后,对这一领域的发展方向作了展望。
- 董红星杨振杨文玉尹文艳宋玉哲杨合情
- 关键词：CDSE自组装
- 不同形貌氧化铟纳米结构的可控制合成与生长机理
- 氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。自从王中林教授等首次发现 InO、ZnO 等氧化物纳米带以来,氧化铟纳米结构单元...
- 杨合情董红星尹文艳赵桦
- 关键词：氧化铟自组装
- 文献传递
- 氧化铟纳米结构的制备与控制
- 氧化铟是非常重要的宽带透明半导体,由于其独特的光学、化学和电子学性质,在化学传感、太阳能电池、执行器、光电子和平板显示等领域具有广泛的应用。本文提出了一种新的制备方法,即通过金属铟的原位热氧化反应在金属铟的表面生长出氧化...
- 杨合情董红星尹文艳
- 关键词：氧化铟自组装化学气相沉积
- 文献传递
- 半导体/SiO_2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备被引量：2
- 2006年
- 总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。
- 宋玉哲杨合情尹文艳万秀琴
- 关键词：溶胶-凝胶法核壳结构同轴纳米电缆
- 单质铟在空气中原位热氧化合成氧化铟纳米锥
- 2007年
- 以Au作催化剂，将金属铟在空气中加热到900-1000℃，在单质铟表面制备出In2103纳米锥．纳米锥的直径随着加热时间的延长和反应温度的升高而增加．采用拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对产物进行了表征分析．结果表明，产物为立方相单晶结构的In2O3纳米锥，其直径和高度分别在0．08～0．7μm和0、5～3．1μm范围可调，且金作为催化剂在纳米锥的生长过程中起了非常重要的作用．基于此研究结果。
- 王勇尹文艳董红星杨文玉王明珍杨合情
- 关键词：IN2O3
- 氧化铟和磷化铟纳米结构单元的合成与控制
- 氧化铟和磷化铟都是非常重要的半导体功能材料，不同形貌、不同尺寸氧化铟和磷化铟纳米结构单元具有许多不同于相应块体材料的独特光学、催化和磁学等性质，在生物传感、太阳能电池、光电器件和平板液晶显示等领域有着广泛的应用。因而氧化...
- 尹文艳
- 关键词：氧化铟磷化铟水热法自组装热氧化
- 文献传递
- Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制被引量：2
- 2006年
- 论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。
- 尹文艳杨合情宋玉哲万秀琴任荣贞
- 关键词：纳米材料尺寸控制
- 铟颗粒上具有不同直径氧化铟纳米锥的原位合成与光致发光特性被引量：4
- 2008年
- 以Au作催化剂,通过金属铟与氧气在850～1000℃的氧化反应,在单质铟表面原位大面积生长出了In2O3纳米锥.通过反应温度的改变实现了纳米锥的可控合成.采用激光拉曼光谱、X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对产物进行了表征分析.结果表明,纳米锥为立方相单晶结构的In2O3,其直径和高度分别在0.1～0.6μm和0.2～2.9μm范围内可调控.提出了In2O3纳米锥可能的生长机理.在室温下研究了它们的发光性质,发现了发光峰位于416和439nm强的蓝光发光,这一蓝光发光起源于氧化铟纳米锥中氧空位中的电子与铟-氧空位中心中的空穴之间的复合.
- 董红星杨合情余杰张瑞刚尹文艳杨文玉王明珍
- 关键词：IN2O3光致发光
