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姚志强

作品数:4 被引量:9H指数:2
供职机构:郑州大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程理学文化科学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇TIO2薄膜
  • 2篇TIO_2薄...
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇溶液法
  • 1篇失重
  • 1篇热失重
  • 1篇浸润性
  • 1篇晶体管
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇红移
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇P型

机构

  • 3篇郑州大学
  • 2篇河南教育学院
  • 1篇中国科学院宁...

作者

  • 3篇姚志强
  • 2篇林钰
  • 2篇辛荣生
  • 1篇董林
  • 1篇田莉
  • 1篇胡斌

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究
2019年
可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程,从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术–微流控法:将宽度及间隔均为80μm、沟槽深度为2μm左右的PDMS模板与衬底贴合构筑微流通道,毛细力作用下前驱液可在微流通道内流动,并在衬底表面形成图形化的液膜,最后经热处理完成图行化的薄膜沉积。此外,分析了硝酸镍/2-甲氧基乙醇前驱体的热分解过程和不同温度退火下前驱体粉末的相结构演化规律。最终利用微流控法图形化沉积技术制备了图形化的氧化镍沟道,并构筑了薄膜晶体管器件。优化后的薄膜晶体管表现出典型的p型特征,场效应迁移率可达0.8 cm^2?V^(–1)?s^(–1)。
梁玉梁凌燕吴卫华裴郁姚志强曹鸿涛
关键词:氧化物半导体溶液法浸润性薄膜晶体管
磁控溅射掺铜TiO_2薄膜光学特性的分析被引量:6
2014年
采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理。发现当TiO2溅射功率为160 W,Cu溅射功率为30 W时,TiO2薄膜的吸收边红移最为明显,至420 nm左右。X射线衍射(XRD)结果表明:500℃下退火处理得到的薄膜主要为锐钛矿相,但随着Cu掺量的提高,薄膜XRD衍射峰明显宽化,结晶性变差,将会在TiO2薄膜晶体中引入缺陷。X射线光电子谱结果表明:Cu以2+价存在,并掺杂进入TiO2晶格,引入受主杂质能级。结论认为Cu掺杂形成的缺陷能级和杂质能级是导致TiO2薄膜光吸收边拓展至可见光区域的原因。
胡斌林钰董林姚志强田莉辛荣生
关键词:磁控溅射CU掺杂TIO2薄膜
磁控溅射Nb掺杂TiO_2薄膜的研究被引量:2
2018年
用射频/直流溅射法研制了铌掺杂TiO_2透明导电薄膜。实验结果表明:Nb以正五价态掺入TiO_2晶格中,随着Nb掺杂量的逐渐增加,薄膜的电阻率出现先降后升的变化,在掺杂溅射功率为40 W时,薄膜电阻率降至7.3×10-4Ω·cm,可见光透过率高达86%以上。并且,Nb掺杂使TiO_2薄膜的吸收限产生了蓝移,随着Nb掺杂量的增加,薄膜蓝移程度逐渐增大,说明该TiO_2薄膜为n型掺杂。研究认为,控制Nb掺杂量达最佳时,使晶格中产生较多的载流子,以及良好晶体结构产生较大的载流子迁移率,能使Nb掺杂TiO_2透明导电薄膜的性能参数得到有效改善。
辛荣生苏雷生林钰姚志强
关键词:磁控溅射TIO2薄膜光电性能
共1页<1>
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