周灵平
- 作品数：129 被引量：254H指数：10
- 供职机构：湖南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金机械工业技术发展基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>
- 离子束类金刚石膜的摩擦磨损及耐蚀性能被引量：6
- 2003年
- 研究了沉积类金刚石膜 (DLC)的 4 0Cr钢的摩擦磨损性质 ,定量分析了DLC膜的耐蚀性。研究表明 :DLC膜能显著降低 4 0Cr钢表面摩擦系数和表面粗糙度 ,在相同载荷条件下DLC膜的磨损速率比 4 0Cr钢低 2个数量级 ;在各种腐蚀介质中 ,DLC膜的腐蚀速率明显低于 4 0Cr的 ,且其电极电位、自然腐蚀电位和点蚀击穿电位均高于 4 0Cr钢的 ,表明DLC膜可提高 4
- 周灵平黄桂芳李绍禄李德意陈小华
- 关键词：类金刚石膜离子束摩擦磨损性能耐蚀性能
- 一种低温合成的NiCl<Sub>2</Sub>粉末及应用
- 本发明涉及一种低温合成的NiCl<Sub>2</Sub>粉末及应用，属于粉体制备技术领域。所述低温合成的NiCl<Sub>2</Sub>粉末是以水合氯化镍为原料；将原料和萃取助剂在有机溶剂中混合均匀后干燥，随后在280‑...
- 符立才姚斌周灵平朱家俊杨武霖李德意
- 一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置
- 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD...
- 周灵平梁凤敏彭坤朱家俊李德意李绍禄
- 一种柔性高导热聚合物基复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种柔性高导热聚合物基复合材料及其制备方法，所述复合材料内部，片状氮化硼有序排布组装了“蜂窝”状初级导热网络，金刚石颗粒定向填充“蜂窝”孔洞实现局部高密度堆积，形成了贯穿材料的高效导热复合网络，所述“蜂窝”结...
- 杨武霖胡珏珂杜鑫鑫周灵平朱家俊符立才李德意
- 铜钨（钼）薄膜的结构演变及性能被引量：2
- 2004年
- 阐述了Cu—W(Mo)薄膜结构的演变与各种条件的关系，并分析了结构演变后薄膜的性能变化。结果表明，沉积条件、退火、离子束的轰击、辐照和薄膜成分比的变化都能引起薄膜的结构演变，其中离子束的轰击与辐照是研究薄膜结构变化的主要手段。
- 林良武周灵平孙心瑗艾永平
- 关键词：离子束钼钨铜辐照
- 一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法及金刚石/铝复合材料
- 本发明涉及一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法及金刚石/铝复合材料，本发明首次在1000℃以下的较低温度条件下，通过化学反应在金刚石表面合成碳化硅镀层。其制备方法包括以下步骤：采用薄膜沉积技术在金刚石表面沉积金属铝薄膜...
- 杨武霖李想军周灵平朱家俊符立才李德意
- 文献传递
- 左右手材料构成的双层结构的转移矩阵被引量：2
- 2006年
- 推导出了由左右手材料构成的双层结构的转移矩阵。利用这个转移矩阵,推导出了由左右手材料交替构成的一维光子晶体的色散关系。
- 张高明彭景翠翦知渐周灵平
- 关键词：左手材料转移矩阵一维光子晶体色散关系
- W-Cu薄膜沉积初期亚稳态固溶体形成机制被引量：2
- 2016年
- 采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成了W(Cu)基亚稳态固溶体,且Cu在W中的固溶度逐渐增加。沉积10s时薄膜呈长程无序、短程有序的非晶态,局部有由于靶材粒子扩散不充分而形成的小于5nm的W、Cu纳米晶;20s时局部纳米晶消失但晶化程度升高;30s时晶化显著。沉积初期W-Cu薄膜随沉积时间延长逐渐晶化的原因是沉积过程中高能量的原子或原子团与已沉积的原子碰撞,传递能量,促进原子进一步扩散,克服了薄膜的晶化形成能,从而形成了亚稳态的W(Cu)固溶体。
- 谢添乐周灵平符立才符立才朱家俊李德意
- 关键词：微观结构晶化
- 锑铜合金中锑脱溶相的表征被引量：1
- 1999年
- 采用电解腐蚀方法显示出含微量锑的铜合金中的锑脱溶相,通过SEM和EDAX表征,结果表明,锑脱溶相呈球状、粒状或条块状,粒径1～5μm,脱溶相中含稀土元素.锑以脱溶相形式析出并呈弥散均匀分布是锑铜合金具有良好综合性能的关键.
- 周灵平李绍禄梁振亚刘淳
- 关键词：扫描电镜能谱
- 一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法
- 一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar<Sup>+</Sup>离子束溅射沉积Al膜的同时，用20～35keV/2...
- 周灵平李智朱家俊彭坤
