何焱
- 作品数：8 被引量：14H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种便于推广应用的磁通门技术被引量：4
- 2006年
- 二次谐波磁通门具有很多优点,使其在弱磁场测量领域获得广泛应用。但它对设计、材料和制作工艺要求高,一般产品的精度在±2%左右。采用新材料、新工艺制作的精品其精度可达±0.5%,但造价较高。新研制的调相法磁通门不仅具有二次谐波磁通门的那些优点,而且结构更简单,工作更稳定,对结构和制作工艺要求不高,精度较容易达到,且优于±0.5%。
- 何焱吴武臣丁广玉
- 关键词：坡莫合金
- 三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
- 2005年
- 对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
- 吕长志冯士维王东凤张小玲谢雪松何焱张浩徐立国袁明文李效白曾庆明
- 关键词：ALGAN/GANHFET双异质结
- AlGaN/GaN双异质结HEMT的高温工作性能
- 描述了AlGaN/GaN双异质结HEMT在室温，300℃和500℃下的工作性能。栅长为1.5-1.75μm、沟道长度为3μm器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下、300℃和500℃下的数值分别为1100mA/mm 27...
- 吕长志冯士维王东观谢雪松松小玲张迪何焱
- 关键词：GAN材料双异质结高温性能
- 文献传递
- 跨导为220 mS/mm的AlGaN/GaNHEMT被引量：3
- 2004年
- 介绍了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试。漏源欧姆接触采用 Ti/ Al/ Pt/ Au,肖特基结金属为 Pt/ Au。器件栅长为 1 μm,获得最大跨导 2 2 0 m S/ mm,最大的漏源饱和电流密度 0 .72 A/ mm。由 S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为 1 2 GHz和 2 4GHz。
- 张小玲吕长志谢雪松何焱侯英梁冯士维李志国曾庆明
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管直流特性
- 非导电样品荷电效应的吸收电流评价方法被引量：7
- 2004年
- 在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流Ia,评价非导电样品的荷电效应。对于非导电样品,Ia的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映。此外,Ia还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)的效果。
- 吉元张虹史佳新何焱吕长志徐学东张隐奇郭汉生
- 关键词：扫描电镜荷电效应非导电材料
- 绝缘材料荷电的测试方法
- 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安－电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流I<S...
- 吉元徐学东史佳新钟涛兴何焱吕长志张虹郭汉生
- 文献传递
- 钢丝绳断丝无损检测的实时信号处理
- 钢丝绳断丝定量无损检测是具有重要实际意义的研究课题.要想使新型的磁通门检测系统真正发挥其优势,必须对检测信号进行有效的处理.本文在充分分析钢丝绳断丝无损检测信号特点的基础上,经过大量实验,对信号处理的多种方法进行了研究和...
- 何焱袁颖武力吴武臣吕长治
- 关键词：钢丝绳断丝信号处理无损检测
- 文献传递
- 绝缘材料荷电的测试方法
- 绝缘材料荷电的测试方法涉及一种利用扫描电子显微镜对绝缘材料表面荷电的测量及评价方法。本发明是采用扫描电镜扫描样品，在入射电子束逐点扫描样品和记录成像的过程中，由皮安-电流表逐点实时接收电子束在样品表面产生的吸收电流I<S...
- 吉元徐学东史佳新钟涛兴何焱吕长志张虹郭汉生
- 文献传递
