任正伟
- 作品数：48 被引量：23H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
- 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源...
- 张宇邢军亮徐应强任正伟牛智川
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- InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极...
- 蒋洞微向伟王娟邢军亮王国伟徐应强任正伟贺振宏牛智川
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- 锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
- 锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
- 牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
- HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
- 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
- 张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
- 文献传递
- 快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响被引量：1
- 2005年
- 从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.
- 张石勇徐应强任正伟牛智川吴荣汉
- 关键词：快速热退火SPINODAL分解
- 锑化物超晶格红外探测材料及红外焦平面探测器研究
- InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料以及QWIP多量子阱级联结构相...
- 王国伟牛智川向伟蒋洞微韩玺郝宏玥任洋徐应强任正伟贺振宏
- GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长被引量：5
- 2007年
- 采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
- 郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
- 关键词：GAASGASBINAS/GASB超晶格
- 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
- 本发明公开了一种在砷化镓衬底上外延生长GaSb的方法，该方法采用三缓冲层生长工艺，具体包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B)550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层；C)450℃...
- 郝瑞亭周志强任正伟徐应强牛智川
- 文献传递
- 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
- 本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源...
- 张宇邢军亮徐应强任正伟牛智川
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- 2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料
- 采用分子束外延方法在 GaAs(100)衬底上生长 GaSb 体材料,以此 GaSb 为缓冲层生长了不同 InAs 厚度的 InAs/GaSb 超晶格,其10 K 光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm。高分辨透射电子显微镜...
- 郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
- 关键词：GASBGAAS分子束外延
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