万云
- 作品数：23 被引量：60H指数：4
- 供职机构：西北大学物理学系更多>>
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- 相关领域：电气工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 高温超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶晶界结及光探测器被引量：1
- 1998年
- 在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用Ｈｅ－Ｎｅ激光和５００Ｋ黑体作为辐射源测量了光探测器的响应特性。探测结果：噪声等效功率ＮＥＰ分别为６．７×１０－１４和３．８×１０１４ＷＨｚ－１／２，归一化探测率分别为１．４×１０１０和２．６×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１；响应度分别为１．８×１０７和３．２×１０７ＶＷ－１。
- 姚久胜王瑞兰王瑞兰宣毅周燕李宏成万云
- 关键词：高温超导体非平衡态探测器晶界
- 高温超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜阵列微桥器件研究被引量：1
- 2000年
- 在高 Tc超导 Gd Ba2 Cu3 O7-δ薄膜上 ,采用光刻技术制成 2× 4阵列微桥单元及多元器件 ,对器件性能在液氮温度下进行了系统的观测 ,实验表明 ,Gd Ba2 Cu3 O7-δ薄膜超导性能优异 ,稳定性很好 ,桥区尺寸较小的微桥呈现与双晶晶界结相似的 - 特性 ,可能具有弱连接行为 ,而多单元串接微桥器件出现的多台阶式的特性 ,可望在红外探测计量及高频方面获得重要应用。
- 万云平一梅贺庆丽姚合宝
- 关键词：超导薄膜阵列高温超导
- 薄膜型超导红外(光)探测器被引量：3
- 2002年
- 在高TcGdBaCuO超导薄膜上 ,采用光刻技术分别制成两种不同结构的辐射、热测量器件及 2× 4集成阵列式微桥器件红外 (光 )探测器 探测器芯片安装在STD 3型红外探测器杜瓦冷指上 用黑体及波长为 0 .632 8μm的He Ne激光器辐照器件 ,系统观测各种器件的特性 ,其中最好的结果 :在 1 0Hz时的噪音等效功率NEP( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =3.6× 1 0 - 1 2 WH1 /2z ;探测率D ( 5 0 0 ,1 0 ,1 ) =1 .6× 1 0 1 0 cmHz1 /2 W- 1 ;响应率Rv=8.2× 1 0 3VW- 1 另外 ,多元串接微桥器件出现的多台阶式的特性 。
- 万云平一梅姚久胜
- 关键词：超导薄膜红外探测器
- 高Tc超导GdBa_2Cu_3O_7薄膜弱连接双晶结研究被引量：1
- 1998年
- 为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流１－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩和Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于光探测获得成功。
- 万云于明湘贺庆丽姚合宝姚合宝
- 关键词：超导薄膜
- 高Tc GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶结光探测器
- 1998年
- 研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为0．6328μm的He-Ne激光器，系统观测了高TcGdBa2Cu3O7-δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率NEF＝4．3×10－（14）WHz（－1／2），归一化探测率D＝1．2×10（10）cmHz（1／2）W－1，响应率Rv＝3．5×107V／W，响应时间τ≤4．12×10－7s。
- 万云贺庆丽姚合宝于明湘张湘云
- 关键词：光探测红外探测器
- 纳米晶合金在高压电力系统中的应用被引量：4
- 2001年
- 研究了非晶纳米晶合金在电力系统中高压断路器及全封闭组合电器上配套测量级电流互感器中的应用 ,并分析了在电力系统中其他设备上应用的可能性。
- 万云王玉平
- 关键词：纳米晶合金非晶高压电力系统电流互感器高压断路器软磁合金
- 高温超导微带线的传输特性和设计考虑被引量：1
- 2000年
- 利用唯象损耗等效法和宏观唯象模型来分析高温超导微带传输线的传输特性。宏观唯象模型克服了传统二流体模型不适用于高温超导体的缺点,使计算结果符合测量值。本文给出了高温超导体YBCO微带传输线的传输特性计算结果,可见其衰减及色散都很小。因此结合唯像损耗等效法和宏观唯象模型可以使高温超导微带线的设计精度有很大提高。
- 姚久胜李宏成万云
- 关键词：高温超导微带传输线PEM表面电阻
- 高温超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜2×4阵列微桥单元及多元器件特性研究被引量：2
- 2000年
- 在高 Tc超导 Gd Ba2 Cu3O7-δ薄膜上 ,采用光刻技术制成 2× 4阵列微桥单元及多元器件 ,对器件性能在液氮温度下进行了系统的观测。实验表明 ,Gd Ba2 Cu3O7-δ薄膜超导性能优异 ,稳定性很好 ,桥区尺寸较小的微桥呈现与双晶晶界结相似的 I- V特性 ,可能具有弱连接行为。而多单元串接微桥器件出现的多台阶式的特性 ,可望在红外探测计量及高频方面获得重要应用。
- 万云平一梅贺庆丽姚合宝
- 关键词：高温超导薄膜超导性能
- 非线性光学晶体材料Sr<Sub>3</Sub>Y<Sub>3</Sub>BiB<Sub>4</Sub>O<Sub>15</Sub>及其制备方法和用途
- 本发明公开了一种非线性光学晶体材料、制法及用途，该晶体材料为硼酸铋钇锶，化学式Sr<Sub>3</Sub>Y<Sub>3</Sub>BiB<Sub>4</Sub>O<Sub>15</Sub>，属于六方晶系，空间群P6<S...
- 高建华宋立美万云
- LiNbO_3晶体中屏蔽光伏孤子自偏转的时空演化与可控因素被引量：3
- 2012年
- 基于带输运模型理论建立了LiNbO_3晶体屏蔽光伏孤子的时空演化动力学方程,用有限差分方法求解发现,LiNbO_3晶体中明、暗屏蔽光伏孤子存在大的自偏转,并且光孤子形状变得具有不对称性,偏转方向的曲线斜率绝对值变大,偏转反方向的曲线斜率绝对值变小.分析研究表明影响其自偏转度和形变的因素包括受主浓度N_A,暗辐射强度I_d和外加电场E_0.其他条件不变的情况下N_A越大,明孤子的自偏转度与形变越小,暗孤子的自偏转度与形变反而越大;对于I_d,它对明暗孤子的影响是相同的,I_d越小,晶体里诱导出的空间电荷场越容易达到饱和,当信号光中心光强与暗辐射强度之比为10^(-1)时无饱和现象产生;随着E_0数值的增大,明孤子的自偏转度和形变减小,而暗孤子的自偏转度和形变反而增大.
- 李文慧忽满利马志博种兰祥万云
- 关键词：自偏转形变
