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丁辛芳
作品数:
25
被引量:38
H指数:4
供职机构:
东南大学微电子中心
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发文基金:
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国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
机械工程
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合作作者
牛蒙年
中国科学院
童勤义
中国科学院
刘岩海
东南大学微电子中心
俞海明
东南大学微电子中心
陈德英
东南大学电子科学与工程学院
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东南大学
1篇
南京师范大学
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南京理工大学
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中国科学院
作者
25篇
丁辛芳
10篇
牛蒙年
5篇
童勤义
3篇
俞海明
3篇
刘岩海
1篇
何云爽
1篇
何野
1篇
熊涛
1篇
陈德英
1篇
李冰
1篇
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金恒
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刘新宁
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1篇
功能材料与器...
1篇
电子科学学刊
年份
1篇
2002
2篇
2001
1篇
1999
1篇
1998
4篇
1997
5篇
1996
5篇
1995
3篇
1994
1篇
1992
2篇
1991
共
25
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一种用于FIA系统的微型泵
被引量:2
2001年
介绍了一种 FIA( Flow Injection Analysis-流动注入分析)系统中的部件-微型振膜泵。 该微型泵体采用无阀式的扩散管 /喷嘴结构,由电磁-机械方式驱动振膜的振动,用干电池作电源。 实验数据表明,该泵可在 0~ 1.5ml/min(液体)流量范围内工作稳定,并具有结构简单、流量易于控 制以及利于批量生产成本低廉等优点,有很好的应用前景。
丁辛芳
刘岩海
刘新宁
何云爽
关键词:
微型泵
MEMS
二维电流连续性方程最佳离散方法
1995年
该文提出了一种既简单又新颖的离散二维电流连续性方程的有限差分方法。这种方法能完全消除数值振荡,有效地减小侧风效应.与经典多维S-G方法和SUPG方法相比,该方法具有更好的数值特性。
滕志猛
何野
丁辛芳
魏同立
童勤义
关键词:
电流
半导体
pH-ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法
被引量:1
1996年
本文提出用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系、瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
关键词:
电路
SPICE模拟
CAD
集成MOS气敏传感器的研究
丁辛芳
俞海明
金恒
关键词:
气敏器件
MOS系统
测量系统
差分对结构pH-ISFET传感器的研制
被引量:1
1995年
报道了采用集成技术制备的差分对结构pH-ISFTET传感器及其特性,实验结果表明,ISFET器件性能良好,经差分放大器输出可以改善恒流电路测量的响应特性,且有效地抑制温漂、时漂等不稳定因素。采用金膜辅助电极替代甘汞参考电极的差分测量仍有较好的结果。
牛蒙年
丁辛芳
袁璟
童勤义
关键词:
传感器
ISFET
差分放大
场效应型氢离子敏传感器测量方法的实验研究
被引量:1
1995年
基于场效应型红离子敏传感器(H+-ISFET)参数及电流-电压特性,归结出四种H+-ISFET传感器的四种测量工作模式,从应用角度讨论了它们的适用条件以及实现差动输出测量的简单方法。实验结果表明,由H+-ISFET/REFET对管构成的差动输出电路具有较好的共模抑制能力和H+离子敏感性能。
丁辛芳
牛蒙年
关键词:
共模抑制
亚微米级硅尖端传感器的研制
被引量:2
1998年
提出了一种全新的亚微米级温度传感器的构想。作者在借鉴AFM悬臂测头的基础上,采用了微机械加工技术中的各向同性和各向异性腐蚀技术,在硅材料上完成了悬臂梁与硅尖制作。制成的梁的厚度在6μm左右、尖端曲径半径远小于1μm。随后对悬臂梁前端的硅尖进行尖端放电,隧穿其顶端的Si_3N_4层形成温敏器件──一个微型的热电偶。最后进行了这一温敏传感器的引线和封装。由于制作所形成的硅尖曲径半径在0.1μm左右,从而可以在其尖顶上形成亚微米级的温度传感器,在集成电路的探伤与修补以及生物技术领域,有着广阔的应用前景。
丁辛芳
何云爽
史建伟
关键词:
亚微米
悬臂梁
热电偶
气体传感器的集成化研究状况
被引量:2
1994年
集成技术在未来传感器的发展中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的气体传感器的研究状况,包括半导体场效应型、晶体管型、薄膜型、微量热计型和声表面波(SAW)型气体传感器。
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
关键词:
集成技术
气体传感器
晶体管
硅微机械泵
硅微机械泵是一种采用硅微机械加工技术和半导体集成电路工艺制作而成的流体泵,泵体可采用玻璃/硅材料的结构构成,驱动装置采用硅薄膜加热电阻实现,流体输送机械可由微型腔室、自由振动硅膜和喷嘴——扩散管道式的出口和入口构成,硅薄...
丁辛芳
文献传递
背面引线的新型集成pH-ISFET传感器的研制
被引量:1
1994年
背面引线的新型集成pH-ISFET传感器的研制丁辛芳,牛蒙年,俞海明,丁耘(东南大学微电子中心)0引言pH-ISFET同传统的离子选择电极相比更具吸引力[1~5],因为ISFET适于硅工艺大批量生产,降低了单个器件的成本及器件性能的不均匀性;用半导体...
丁辛芳
牛蒙年
俞海明
丁耘
关键词:
集成传感器
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