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丁子上

作品数:120 被引量:846H指数:13
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 103篇期刊文章
  • 13篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 71篇化学工程
  • 17篇一般工业技术
  • 12篇电子电信
  • 12篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 73篇陶瓷
  • 18篇纳米
  • 14篇复相
  • 14篇复相陶瓷
  • 11篇NZP陶瓷
  • 10篇溶胶
  • 9篇液晶光阀
  • 9篇陶瓷材料
  • 9篇热膨胀
  • 9篇硅薄膜
  • 9篇粉末
  • 9篇复合材料
  • 9篇SI
  • 9篇复合材
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化硅
  • 8篇增韧
  • 8篇碳化硅
  • 8篇ZR
  • 7篇低膨胀

机构

  • 115篇浙江大学
  • 11篇清华大学
  • 6篇南京化工学院
  • 5篇北京科技大学
  • 5篇山东轻工业学...
  • 4篇山东工业陶瓷...
  • 2篇大连轻工业学...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇东京工业大学
  • 1篇南京化工大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 120篇丁子上
  • 38篇韩高荣
  • 34篇沈志坚
  • 19篇陈玉清
  • 14篇徐利华
  • 14篇韩伟强
  • 12篇方中华
  • 12篇杜丕一
  • 9篇杨修春
  • 7篇张其土
  • 7篇黄勇
  • 7篇翁文剑
  • 7篇江仲华
  • 6篇葛曼珍
  • 6篇徐刚
  • 5篇马峻峰
  • 5篇朱涛
  • 4篇黄勇
  • 4篇唐膺
  • 4篇许宇庆

传媒

  • 17篇硅酸盐学报
  • 10篇硅酸盐通报
  • 8篇材料导报
  • 7篇材料科学与工...
  • 6篇无机材料学报
  • 6篇现代技术陶瓷
  • 4篇陶瓷学报
  • 4篇中国陶瓷
  • 4篇功能材料
  • 4篇材料研究学报
  • 3篇浙江大学学报...
  • 3篇南京化工学院...
  • 3篇武汉工业大学...
  • 3篇陕西科技大学...
  • 2篇科学通报
  • 2篇Journa...
  • 2篇仪器仪表学报
  • 2篇复合材料学报
  • 2篇工业技术与职...
  • 1篇山东陶瓷

年份

  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 9篇1998
  • 19篇1997
  • 17篇1996
  • 18篇1995
  • 19篇1994
  • 7篇1993
  • 11篇1992
  • 5篇1991
  • 3篇1990
  • 3篇1989
  • 2篇1988
  • 1篇1987
120 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SiC纳米粉的光致发光研究被引量:6
1998年
首次发现SiC纳米粉的光致发光效应,通过透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析。
杨修春韩高荣张孝彬张孝彬
关键词:半导体碳化硅纳米粉光致发光
Si_3N_4粉末氧化生成SiO的研究被引量:2
1996年
本文首次提出并采用NaOH+H_2O_2的混合溶液作为SiO气体的吸收液,用硅钼兰分光光度法进行检测分析。结果表明,Si_3N_4粉末在高温下的低氧分压(Po_2≤10Pa)气氛中氧化时有SiO气体生成。其中当温度为1300℃时,在氧分压为1Pa~10Pa的N_2气氛中氧化时,生成SiO气体的氧化反应占Si_3N_4总的氧化反应的70~80%。同时,通过热力学计算对Si_3N_4粉末氧化生成SiO进行了分析,揭示了Si_3N_4的氧化反应方式与氧分压和温度的相互关系。
张其土丁子上
关键词:氮化硅陶瓷氧化硅陶瓷
全文增补中
纳米硅薄膜制备技术进展被引量:3
1994年
本文综述了纳米硅薄膜制备新技术的进展。着重介绍了高氢稀释硅烷蚀刻法,微波氢基团增强化学气相沉积,逐层法和高频数值等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制.本文指出氢基团为各项新技术发展的关键并将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。
韩伟强韩高荣丁子上
关键词:纳米材料固体物理
化学共沉淀过程pH值对Y_2O_3(MgO)-PSZ相组成的影响被引量:16
1991年
研究了共沉淀过程pH值对凝胶热分解后Y_2O_3、MgO部分稳定ZrO_2相组成的影响。采用XRD、Raman光谱,以及高分辨电镜分析了凝胶析晶过程结构的演变规律。认为氧化锆的相组成受凝胶先驱体结构的控制,沉淀过程pH值影响水合氧化锆凝胶的结构,进而影响凝胶热分解后ZrO_2的相组成。近中性和高碱性条件下沉淀的凝胶分别具有类单斜和类四方氧化锆结构。
沈志坚方中华李廷凯丁子上
关键词:氧化锆共沉淀
热化学气相反应法制备SiC纳米粉的研究被引量:9
1998年
利用SiH4-C2H4-H2系统的反应,在1423K~1673K温度范围内对SiC超细粉的合成进行了系统研究。采用的粉末表征方法有透射电镜(TEM)、红外吸收谱(IR)、X射线衍射(XRD)、粉末比表面分析(BET),高分辨透射电镜(HREM)和化学分析。结果表明,改变反应温度和反应气体组成比能获得高纯SiC赵细粉。在1423K~1573K范围内,粉末富硅,当温度超过1623K时粉末富碳,在T=1623K,C2H4/SIH。一1.2,P—0.02MPa时,制备出11urn的纯卜SiC赵细粉,SiC含量高达97.8%,其氧含量为1.3%。游离硅的存在能显著影响最终颗粒尺寸。
杨修春韩高荣杜丕一丁子上周国治
关键词:超细粉粉末特征纳米
NZP陶瓷组成与显微结构对其导热系数的影响被引量:7
1997年
研究了化学组成及显微结构对M_I位NZP陶瓷导热系数的影响,随着M_I位离子种类数的增加,NZP陶瓷的导热系数降低。CMS的导热系数随着气孔率的增加而降低。
陈玉清韩高荣沈志坚丁子上
关键词:NZP陶瓷导热系数化学组成陶瓷显微结构
NZP族陶瓷的组成与分类被引量:16
1995年
首次提出根据品体化学特性、轴膨胀特性及非化学计量性对NZP簇陶瓷进行分类的方法,该分类法对合成新型的NZP族化合物具有一定的指导意义。
陈玉清丁子上方中华
关键词:NZP族陶瓷低热膨胀
纳米硅薄膜结构特性研究被引量:4
1996年
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为2~10nm的纳米微晶相结构的硅薄膜,使用高分辨电子显微镜(HREM),X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)等结构分析手段检测了其结构特征.结果表明,纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构.X射线衍射谱表明除了Si(111)的2θ=28.5°和Si(220)的2θ=47.3°处的衍射峰外,在2θ=32.5°处存在着一个强的异常峰.HREM结果表明存在新的Si结晶学结构与XRD异常峰相关联.研究结果还表明随着功率增加,Si薄膜网络结构的晶态成分增加.
韩伟强韩高荣丁子上
关键词:纳米硅薄膜结构特性硅薄膜
化学气相反应法合成SiC超细粉的成核和生长过程的研究被引量:4
1997年
借助于TEM观察,讨论了化学气相反应法合成SiC超细粉的成长机理,分析结果显示,由于气体流速不同,合成的SiC超细粉颗粒尺寸和颗粒形貌有较大变化,颗粒尺寸和颗粒形貌的变化由成核和生长机理决定,一般涉及到均匀成核、异相成核。
杨修春韩高荣杜丕一丁子上
关键词:超细粉碳化硅陶瓷成核
纳米复相陶瓷
1992年
本文综述近年纳米级复相陶瓷的研究概况,介绍了多种制备方法及微观内晶型复合结构、增韧强化机理,对其发展动态进行了展望。
高家化沈志坚丁子上
关键词:微观结构力学性质
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